طراحی مدار گیت درایو رزونانسی جدید با قابلیت بازیافت انرژی

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,405

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEEE05_071

تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1392

چکیده مقاله:

دراین مقاله مدارگیت درایو جدیدی معرفی و شبیه سازی می گردد تا بتواند بخشی ازانرژی تلف شده درمبدلها را به منبع بازگرداند این مدار ازیک سلف و چهارسوییچ تشکیل شده است که سلف باعث غیرپیوسته شدن جریان و درنتیجه حذف جریان چرخشی درگیت درایو میشود همچنین به دلیل شارژ و دشارژی خازن ماسفت با جریان تقریبا ثابت سرعت خاموش و روشن شدن بیشتر و درنتیجه تلفات سوییچینگ آن کاهش می یابد سوییچ های درایور طراحی شده تحت شرایط نرم کار می کنند که موجب کاهش تلفات سوییچینگ سوییچ ها میشود انالیز و طراحی این مدار و همچنین شبیه سازی آن دراین مقاله ارایه گردیدها ست که با شبیه سازی درفرکانس یک مگاهرتز و 5ولت بازیافت انرژی حدود 34درصد را به دنبال داشته است

نویسندگان

سیدغیاث الدین طباطبایی پور

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر،دانشگاه صنعتی اصفهان

حسین فرزانه فرد

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه صنعتی اصفهان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Y. Chen, "Resonant Gate Drive Techniques for Power MOSFETs" Master's ...
  • Fred C. Lee and Yuhu Chen, :A Resonant Gate Drive ...
  • K. Xu, Y.F. Liu, P.C. Sen, _ New Resonat Gate ...
  • H _ L .N. Wiegman, "A resonant pulse gate drive ...
  • D _ Maksimovi _ Mos Gate Drive with Resonant Tran ...
  • نمایش کامل مراجع