نانو ترانزیستور سیلیکون رو یالماس دو لایه جهت بهینه سازی میدان الکتریکی نفوذی درین و کاهش اثر(DIBL)
محل انتشار: پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 779
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE05_016
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1392
چکیده مقاله:
یک ساختارسیلیکون روی الماس برای بهبود اثرDIBL کاهش سدپتانسیل ناشی ازدرین معرفی شده است نفوذمیدان الکترکیی درعایق ازبین رفتن الماس اثرDIBL را کاهش میدهد درساختارجدید ماده دوم با عایق مضاعف مثل SIO2 روی عایق زیرین اضافه شده است و تا اندازه ای الماس را پوشش میدهد ماده عایق دوم گذردهی الکتریکی پایینی دارد ازاین رو ظرفیت الکتریکی میدان حاشیه ای کوچکتر است نتایج شبیه سازی ترانزیستورسیلیکون درالماس 22 نانومتری بهبود 18درصدی را برای اثرDIBL درمقایسه با ساختارمرسوم سیلیکون روی الماس SOD نشان میدهد افزایش 5درصدی دمای شبکه درساختارجدید نسبت به SOD مرسوم مشاهده شد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
غلامرضا امینی
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک
مهدی جاوید
دانشجوی کارشناسی مهندسی برق
آرش دقیقی
استادیار،دانشگاه شهرکرد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :