شبیه سازی قابلیت تغییر طول عایق دوم در ترانزیستور سیلیکون روی الماس دولایه

در این مقاله، برای اولین بار قابلیت تغییر طول عایق دوم در ترانزیستور سیلیکون روی الماس دولایه با شبیه سازی مدل ساختار آن پرداخته شده است. در ساختار جدید، طول کلی افزاره ۰/۱۸ میکرومتر است. لایه ی عایق دوم از جنس اکسید سیلیکون است و طی فرآیند لایه نشانی و سپس زدایش به کمک ماسک مقاوم در برابر مواد خورنده، بر روی ویفر سیلیکون روی الماس ایجاد شده است. تکنولوژی سایز این ترانزیستور برابر طول عایق دوم آن است و در فرآیندهای ساخت این ترانزیستور، طول عایق دوم با کنترل طول ماسک مقاوم در برابر مواد خورنده ایجاد میشود. تغییر طول عایق دوم منجر به تغییرات اساسی در برخی از مراحل اصلی فرآیندهای ساخت، مشخصه های الکتریکی و کاربرد این افزاره میشود. از جمله مهمترین اثرات آن: تغییر تکنولوژی سایز، عملکرد و ایجاد مدهای (HP) و (LP) در ساختار افزاره است. بدین ترتیب مدل شبیه سازی شده افزاره در مد ) HP طول عایق دوم به اندازه ۲۲ نانومتر) و در مد LP (طول عایق دوم به اندازه ۱۵۰ نانومتر) بررسی شد. نتایج شبیه سازی، موید کارآیی مطلوب افزاره در کاربردهای گستردهتر و همچنین بهبود و کنترل برخی از مشخصه های الکتریکی اصلی ترانزیستور نظیر: ولتاژ آستانه، فرکانس قطع بهره واحد، جریان روشنایی است.

کلیدواژه ها:

سیلیکون روی الماس ، قابلیت تغییر طول عایق دوم ، دولایه عایق ، مد HP ، مد LP