طراحی تقویت کننده توان فرکانس رادیویی کلاس F مبتنی بر MMIC در فرکانس ۲.۵ گیگا هرتز با تکنولوژی GaN۱۵۰nm
سال انتشار: 1403
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 136
فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JIAE-21-3_012
تاریخ نمایه سازی: 28 آبان 1403
چکیده مقاله:
در این مقاله یک تقویتکننده توان فرکانس بالا مبتنی بر تکنولوژی مدار مجتمع مایکروویو یکپارچه (MMIC) طراحی شده است. برای این طرح از پروسه ترانزیستورهای گالیم نیترات با قابلیت تحرک الکترون بالا با فناوری طول گیت ۱۵۰ نانومتر استفاده شده است. فرکانس مرکزی تقویتکننده ۲.۵ گیگا هرتز است. بیشترین گین توان تقویت کننده مورد نظر تقریبا برابر با۱۳.۹db است. در فرکانس مورد نظر بیشترین توان خروجی تقویت کننده توان حدود ۳۶.۴dBm در توان ورودی ۲۵dBmاست که در این توان ورودی، توان خروجی برابر با ۳۵.۶۲dBm است. مساحت نهایی مدار برای جاسازی بر روی تراش ۳۰.۳۱ یلیمتر در ۱۸.۲ میلیتر است. مقدار AM/PM و AM/AM به ترتیب برابر با۲.۶۱deg/db و۱.۳۱dB/dB است. برای تقویت کننده اعوجاج تداخلی هارمونیک سوم (IMD۳) حدود۱۶.۵dBc- در فرکانس مرکزی است.
کلیدواژه ها:
High frequency power amplifier ، monolithic microwave integrated circuit ، power gain ، GaN ، P۱dB ، Gallium nitride ، IMD۳ ، تقویت کننده فرکانس بالا ، مدارهای مجتمع مایکروویو یکپارچه ، گین توان ، گالیم نیترید ، IMD۳
نویسندگان
پیمان علیپرست
Astronautics Research Institute, Tehran
باقر ذبیحی
Faculty of Electrical and Computer Engineering, University of Tabriz
ناصر نصیرزاده
Faculty of Electrical Engineering,Seraj Higher Education Institute, Tabriz
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
