بررسی مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدان بدون پیوند دو گیتینانومتریبا رویکرد یادگیری ماشین

ترانزیستورهای اثر میدان بدون پیوند Junctionless Field Effect Transistor (JL-FET) قابلیت مقیاس شدن به ابعاد کوچکتر را دارند و مشکلات ساخت ناشی از پیوند، در آنها حذف شده است . شبیه سازی IL-FET ها با کمک فناوری طراحی به کمک کامپیوتر (TCAD) با نرم افزارهای صنعتی موجود مانند SILVACO, Sentaurus و... انجام می شود، که تهیه و استفاده از این شبیه سازها هزینه های بسیار بالایی دارد . بر این اس اس در این مقاله مدلسازی و مش خص ات الکتریکی ترانزیس تور اثر میدان بدون پیوند دو گیتیDouble Gate (DG) JL-FET با استفاده از یادگیری ماشین بررسی شده است که موجب کاهش چشمگر در هزینه های شبیه سازی میشود. ابتدا ترانزیستوری به نام Regular-DGJL-FET توسط SILVACO ATLAS شبیه سازی شده و سپس داده های این شبیه سازی به عنوان داده های آموزشی (train) به ماشین داده شده است. سپس با تغییر داده های ورودی مانند ضخامت بدنه ترانزیستور، ضخامت اکسید گیت و مقدار آلایش بدنه، اثر ورودی های جدید بر داده های خروجی که شامل مشخصات الکتریکی ترانزیستور است بررسی شده است. بررسی های ما نشان میدهد ماشین آموزش دیده شده به خوبی نتایج SILVACO ATLAS را دنبال می کند. نتایج حاصل شده نشان می دهد برای Regular-DGJL-FET پارامترهای جریان حالت روشن (𝐼 )، و نسبت جریان روشنایی به جریان خاموشی (𝐼 /𝐼 ) حاصل شده توسط ماشین به ترتیب ۴۳/۱ درصد و ۰۸/۶ درصد اختلاف با نتایج شبیه ساز SILVACO ATLAS دارد. همچنینMSE بر روی داده هایtest خطای ۰/۰۰۱۱۶ و روی داده هایvalidation خطای ۰/۰۰۲۷ را دارد که اعداد قابل قبولی است . بر این اساس رویکرد یادگیری ماشین می تواند گزینه مناسبی برای شبیه سازی JL-FETها باشد

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدان بدون پیوند ، ترانزیستورهای دو گیتی ، نسبت جریان روشنایی به جریان خاموشی ، رویکرد یادگیریماشین