بررسی مقاومت به مهاجرت الکترونی آلیاژ لحیم بدون سرب کامپوزیتی حاوی ذرات کبالت

سال انتشار: 1403
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 54

فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_JWSTI-10-1_007

تاریخ نمایه سازی: 31 تیر 1403

چکیده مقاله:

امروزه با پیشرفت روز افزون تکنولوژی، تقاضا برای کوچک سازی وسایل الکترونیکی بیشتر از پیش مورد نیاز است. قرارگیری اتصالات الکترونیکی جدید در شرایط دمایی خزشی به دلیل نقطه ذوب پایین لحیم ها و همین طور دانسیته جریان بالا چالش هایی مانند مهاجرت الکترونی و حرارتی به وجود آورده است. لذا اخیرا آلیاژسازی و کامپوزیت سازی جهت بهبود مقاومت به مهاجرت الکترونی اتصالات الکترونیکی به کار گرفته شده است. در این پژوهش سعی بر آن شد با کامپوزیت سازی آلیاژ لحیم بدون سرب SAC۰۳۰۷ با استفاده از میکروذرات کبالت، مقاومت به مهاجرت الکترونی بهبود یابد. حضور کبالت در ترکیب بین فلزی فصل مشترکی باعث پایداری بیشتر ترکیب بین فلزی فصل مشترکی و جلوگیری از کاهش ضخامت ترکیب بین فلزی فصل مشترکی در طی زمان آزمون مهاجرت الکترونی می شود؛ درنتیجه پایداری و برقراری اتصال الکترونیکی نمونه لحیم کاری شده با آلیاژ لحیم کامپوزیتی بیشتر از آلیاژ لحیم غیرکامپوزیتی است. از طرفی دیگر، به دلیل ساختار ریزدانه و افزایش چگالی مرزدانه ها در آلیاژ لحیم کامپوزیتی، مکانیزم نفوذ شبکه ای در آلیاژ لحیم غیرکامپوزیتی به مکانیزم نفوذ مرزدانه تغییر یافته است؛ در نتیجه به دلیل مصرف اتم های مس شارش یافته از سمت کاتد به آند توسط ترکیبات بین فلزی موجود در مرزدانه ها، در آلیاژ لحیم کامپوزیتی طی زمان آزمون مهاجرت الکترونی غیریکنواختی ریزساختاری مشاهده شد.

نویسندگان

محمدهادی نورمحمدی

Faculty of Materials Science and Engineering, Sharif University of Technology, Tehran, Iran.

مجتبی موحدی

Faculty of Materials Science and Engineering, Sharif University of Technology, Tehran, Iran.

امیرحسین کوکبی

Faculty of Materials Science and Engineering, Sharif University of Technology, Tehran, Iran.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Obemdorff, P., Lead-free Solder Systems: Phase Relations and Microstructure. ۲۰۰۱, ...
  • Li, W., et al., Joule heating dominated fracture behavior change ...
  • Rahman, M.K., et al., A review of the study on ...
  • Tu, K.-N., Solder joint technology. Vol. ۱۱۷. ۲۰۰۷: Springer ...
  • Tu, K.-N., Y. Liu, and M. Li, Effect of Joule ...
  • Wang, J., et al., The reliability of lead-free solder joint ...
  • Ghate, P. Electromigration-induced failures in VLSI interconnects. in ۲۰th International ...
  • Zhao, X., et al., The effect of adding Ni and ...
  • Nourmohammadi, M., et al., Investigation of microstructure and mechanical properties ...
  • Wang, B., W. Li, and K. Pan, Abnormal shear performance ...
  • Chan, Y.C. and D. Yang, Failure mechanisms of solder interconnects ...
  • Chao, B.H.-L., et al., Recent advances on kinetic analysis of ...
  • Aaronson, H.I., Atomic mechanisms of diffusional nucleation and growth and ...
  • Zaporozhets, T., et al., Three-dimensional simulation of void migration at ...
  • Obemdorff, P., Lead-free Solder Systems: Phase Relations and Microstructure. ۲۰۰۱, ...
  • Li, W., et al., Joule heating dominated fracture behavior change ...
  • Rahman, M.K., et al., A review of the study on ...
  • Tu, K.-N., Solder joint technology. Vol. ۱۱۷. ۲۰۰۷: Springer ...
  • Tu, K.-N., Y. Liu, and M. Li, Effect of Joule ...
  • Wang, J., et al., The reliability of lead-free solder joint ...
  • Ghate, P. Electromigration-induced failures in VLSI interconnects. in ۲۰th International ...
  • Zhao, X., et al., The effect of adding Ni and ...
  • Nourmohammadi, M., et al., Investigation of microstructure and mechanical properties ...
  • Wang, B., W. Li, and K. Pan, Abnormal shear performance ...
  • Chan, Y.C. and D. Yang, Failure mechanisms of solder interconnects ...
  • Chao, B.H.-L., et al., Recent advances on kinetic analysis of ...
  • Aaronson, H.I., Atomic mechanisms of diffusional nucleation and growth and ...
  • Zaporozhets, T., et al., Three-dimensional simulation of void migration at ...
  • نمایش کامل مراجع