سنتز الیاف کاربید سیلیسیم از روش احیاء کربوترمال

سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,392

فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IMES05_327

تاریخ نمایه سازی: 23 خرداد 1392

چکیده مقاله:

در این پژوهش از احیاء کربوترمال اکسیدسیلیسیم در دمای بالا، کاربید سیلیسیم (SiC) تولید شد. استفاده از قیرقطران به عنوان تامین کننده کربن مورد نیاز واکنش و ضایعات الیافی شکل سیلیس، به عنوان تامین کننده سیلیسیم مورد نیاز واکنش، باعث تمایز این روش با سایر روش های سنتز الیاف کاربید سیلیسیم است. حضور فروسیلیسیم در مخلوط اولیه باعث تشکیل الیاف کاربید سیلیسیم با مکانیزم بخار- مایع- جامد (VLS) گردید. مورفولوژی محصول به وسیله میکروسکوپ الکترونی روبشی(SEM) و آنالیز فازی آن به وسیله پراش پرتو ایکس (XRD) بررسی شد. بر اساس الگوی پراش پرتو ایکس و تصاویر SEM به دست آمده، پس از 2 ساعت عملیات حرارتی در دمای 1400 درجه سانتیگراد در حضور فروسیلیسیم با اندازه بلورک کمتر از 50 نانو متر ایجاد گردید. در ادامه، اثر فعال سازی مکانیکی بر اندازه بلورک SiC تولیدی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج XRD نشان داد که در نمونه های آسیاب کاری شده، مساحت زیر پیک های کاربید سیلیسیم افزایش یافته است که نشانگر افزایش مقدار SiC تولیدی است. همچنین حدود 10 نانو متر کاهش در اندازه بلورک های مشاهده می شود که نشانگر جوانه زنی بیشتر یا رشد سریع تر الیاف SiC می باشد.

نویسندگان

مهتاب تیموری

دانشجوی کارشناس ارشد دانشکده مهندسی مواد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد ن

احمد منشی

استاد دانشکده مهندسی مواد، دانشگاه صنعتی اصفهان

مسعود کثیری

استادیار دانشکده مهندسی مواد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • ا. منشی و س. سلطان عطار، "به کارگیری روشی نوین ...
  • Fu Qiangang, Li Hejun, Shi Xiaohong, Li Kezhi, Hu Zhibiao, ...
  • S.R .Nutt, 0 Defects in silicon carbide whiskers", Journal of ...
  • Mats Johnsson, "Synthesis of Boride, Carbide and Carbonitride Whiskers", Solid ...
  • U.S.Patent No 5, 614, 162, Vladimir N. Gribkov, Process for ...
  • P.C.Silva, J.L. Figueiredo, 6Production of SiC and Si, N، Whiskers ...
  • X.K.Li, L. Liu, "Synthesis of Nanometre Silicon Carbide Whiskers from ...
  • V.Martinez, M.F.Valencia, J.Cruz, J.M.ejia, F.Chejne, :Production of B -SiC by ...
  • R.S. Wagner, W.C. Ellis, _ Vap or-Liquid-Solid mechanism of crystal ...
  • U.S.Patent No. 5, 404, 836, John V. Milewski, Method and ...
  • J. V. Milewski, F .D .Gac, J .J .Petrovic, S ...
  • Vadym .G.Lutsenko, "Impurity Phases of Silicon Oxide in Commercil SiC ...
  • U.S.Patent No. 4, 915, 924, Sadashiv K. Nadkarni, Method of ...
  • نمایش کامل مراجع