نانو ترانزیستور های آلی با گیت دی الکتریک هیبریدی پلی استایرن/اکسید هافنیوم
محل انتشار: نخستین کنفرانس سراسری فیزیک و کاربردهای آن
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,975
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCPHYAPP01_006
تاریخ نمایه سازی: 17 اردیبهشت 1392
چکیده مقاله:
در کار حاضر نانو کامپوزیت های هیبریدی اکسید هافنیوم/ پلی استایرن به روش سل-ژل به عنوان گیت دی الکتریک برای ترانزیستورهای لایه نازک آلی با ولتاژ کم تهیه شده است. در این روش از پلی استایرن، کلراید هافنیوم (HFCl4)، اتانول به عنوان حلال و اسید نیترک استفاده شده است. ویژگی های نانو ساختاری به کمک تکنیک های میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و طیف سنجی مادون قرمز تبدیل فوریه (FTIR)و نرم افزار X-Powder مورد بررسی قرار گرفته است. .نتایج حاصله نشان می دهد که نانو کامپوزیت های هیبریدی پلی استایرن/اکسید هافنیوم قابلیت استفاده به عنوان گیت دی الکتریک را دارند و می توانند در بهبود کارآیی ترانزیستورهای لایه نازک آلی نقش مؤثری ایفا کنند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
شیدا لطفی
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه پردیس دانشگاه مازندران، دانشگاه مازن
علی بهادری
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه پردیس دانشگاه مازندران، دانشگاه مازن
علی اصغر حسینی
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه پردیس دانشگاه مازندران، دانشگاه مازن
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :