بهبود بازده سلول خورشیدی فیلم نازکCIGS باافزایش چگالی ناخالصی بخشی از لایه جاذب

سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 743

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICNE01_052

تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392

چکیده مقاله:

در این مقاله روشی برای کاهش بازترکیب در فصل مشترک جاذب/ اتصال پشتی سلولهایCIGSارائه شده است. یک سد حامل در فصل مشترک لایه جاذب و اتصال پشتی، میتواندالکترونها را به جاذب سوق دهد و مانع بازترکیب آنها در اتصال پشتی سلول شود. این سدمیتواند به روشهای متفاوتی در ساختار سلولCIGSگنجانده شود. در این کار برای اولینبار برای یک سلولCIGSاثر اضافه کردن یک لایه با چگالی ناخالصی بالا در فصل مشترک جاذب/اتصال پشتی بررسی شده است و اثر تغییر ناخالصی لایهp و  p ضخامت مختلف سلول مورد بررسی قرار گرفته و در نهایت راهکاری برای افزایش بازده سلول ارائهگردیده است

کلیدواژه ها:

سلول فیلم نازکCIGS بهبود بازده سلولCIGS بازترکیب اتصال پشتی ، تغییر ناخالصی لایه جاذب

نویسندگان

عبدالنبی کوثریان

دانشگاه شهید چمران اهواز

فاطمه تحویل زاده

دانشگاه شهید چمران اهواز

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Thin Film Solar Cells: Fabrication, Ch a racterizatior and Applications. ...
  • J.Malmstrom, "On Generation and Recombination in Cu(In, Ga)Se2 thin films ...
  • H. W. Schock, J. H. Werner, Backsurface bandgap gradings in ...
  • _ _ _ _ (2005) 1891-1894. ...
  • A Simple Model of Graded Band. ءه [7] Arturo M ...
  • R.Krishnan, E.A.Payzant. Reaction kinetics and pathways of MoSe2. IEEE 2010. ...
  • _ _ _ _ Electron Devices, vol. ED-24, pp. 363-372, ...
  • _ _ _ _ # _ Devices, vol. 30, pp. ...
  • نمایش کامل مراجع