تحلیل اثرات دمایی و میدان الکتریکی عمودی بر انتشار امواج الکتریکی عرضی در سیلیسن تک لایه
سال انتشار: 1402
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 175
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JIAE-21-1_007
تاریخ نمایه سازی: 30 آذر 1402
چکیده مقاله:
در این مقاله ما به صورت تحلیی اثرات دمایی و میدان الکتریکی عمود بر سطح سیلیسن را روی محدوده انتشار امواج الکتریکی عرضی در محدوده فرکانسی ۱ تا ۳۰ تراهرتز مورد بررسی قرار داده ایم. ساختار اتمی تک لایه سیلیسن برخلاف گرافن، مسطح نیست و همین موضوع باعث شده، رسانایی سطحی سیلیسن علاوه بر تراز فرمی، با میدان الکتریکی عمود بر سطح سیلیسن نیز قابل تنظیم باشد. این ویژگی باعث میشود که سیلیسن نسبت به گرافن در محدوده وسیعتری بتواند امواج الکتریکی عرضی را منتشر کند. طبق نتایج شبیه سازی بر پایه معادلات کوبو، به ازای میدان الکتریکی عمودی mV/Å ۱۰۰، پهنای باند انتشار امواج الکتریکی عرضی در دماهای K ۵، K ۱۰۰، K ۲۰۰ و K ۳۰۰ به ترتیب برابر با THz ۲/۹، THz ۸، THz ۱/۳ و THz ۹/۰ است. با افزایش میدان الکتریکی عمودی به mV/Å ۲۰۰، پهنای باند برای دماهای مذکور به ترتیب برابر با THz ۷/۲۰، THz ۶/۲۰، THz ۷/۱۶ و THz ۷/۱۱ خواهد بود. در میدان الکتریکی عمودی mV/Å ۳۰۰ این مقادیر به ترتیب ذکر شده برابر با THz ۲۹، THz ۸/۲۸، THz ۴/۲۶ و THz ۸/۲۱ می شوند. همچنین طول حبس امواج TE در محدوده های انتشار نیز بدست آمده است که نشان می دهد با افزایش دما طول حبس زیاد خواهد شد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حامد امامی نژاد
Lorestan University
علی میر
Lorestan University
علی فرمانی
Lorestan University
رضا طالب زاده
Lorestan University
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :