بررسی تاثیر تابش لیزر بر خواص الکتریکی و ساختاری لایه های نازک ZnO

در این مقاله لایه نازک ZnO به روش سل ‎ ژل بر روی زیرلایه شیشه ساخته شده است. لایه ‎ های اولیه ابتدا در دمای ۱۰۰ و ˚C ۲۴۰ خشک و سپس در دماهای ۳۰۰ ، ۴۰۰ و ˚C ۵۰۰ پخت شده اند. اندازه ‎ گیری مقاومت دو نقطه ‎ ای نشان می ‎ دهد که مقاومت الکتریکی لایه ‎ های آماده شده، بسیار زیاد است. تابش پرتو لیزر اگزایمر KrF ( ۲۴۸nm = λ ) با تعداد پالس ۱۰۰۰ ، فرکانس ۱Hz و انرژی ۹۰mJ/cm۲ بر سطح لایه باعث کاهش مقاومت الکتریکی لایه می شود. طیف پراش پرتو ایکس ( XRD ) بهبود ساختار هگزاگونال ورتسایت لایه را تایید می کند، و آنالیز AFM و FE-SEM شکل ‎ گیری منظم و دایروی دانه ‎ ها بر سطح لایه را نشان داد. اندازه ذرات بعد از تابش لیزر از ۱۰nm ~ به ۳۰nm ~ افزایش پیدا می کند. به طور کلی، نشان داده شده است که، ویژگی ‎ های ساختاری، الکتریکی و مورفولوژی لایه ‎ ها با تابش لیزر به طور قابل ملاحظه ‎ ای بهبود می ‎ یابد.

کلیدواژه ها:

لایه های نازک ZnO ، اکسید رسانای شفاف ، لیزر پالسی ، XRD ، AFM