محاسبه و بررسی تغییرات باند گپ نانوکامپوزیتهای ZnO/PEG به روش تاک

با توجه به خواص نوری جالب اکسید روی و باند گپ گسترده آن که زمینه های کاربردی متعددی را برای آن ایجاد میکند و همچنین تاثیر عوامل گوناگون نظیر سایز، شکل و روش سنتز و کامپوزیت شدن در باند گپ، در این تحقیق تاثیر کامپوزیت شدن اکسید روی با پلیمر پلی اتیلن گلیکول را بر مقدار باند گپ این ماده بررسی نمودیم. ابتدا سنتز نانو کامپوزیتهای ذکر شده با روش ساده هم رسوبی و در دمای اتاق و با دو پلیمر پلی اتیلن گلیکول با جرم مولکولی بالا ۱۰۰۰۰ و پایین۱۵۰۰صورت گرفت. سپس شناسایی ذرات با روشهای اسپکتروسکوپی انجام شد و بررسی های میکروسکوپی تایید کرد که سایزذرات در رنج حدود۲۰-۵۰ نانومتر می باشد. محاسبات باند گپ به کمک اسپکتروسکوپی جذبی UV-Visible و معادله tauce انجام گردید. این محاسبات نشان داد که باند گپ اکسید روی تحت تاثیرکامپوزیت شدن با پلیمر پلی اتیلن گلیکول تغییر کرده و از مقدار ۳,۴ الکترون ولت به ۳,۹ می رسد. توجه به نتایج بدست آمده برای محاسبات در n=۲ بیشترین مقدار عددی باند گپ برای نانو کامپوزیت اکسید روی/پلی اتیلن گلیکول ۱۰۰۰۰ است که شاهد افزایش آن نسبت به اکسید روی خالص هستیم. علت تغییرات مشاهده شده دراین موارد تداخل ترازهای انرژی ماده کامپوزیت شده با ترازهای انرژی ماده زمینه یعنی اکسید روی می باشد.

کلیدواژه ها:

اکسید روی ، باند گپ ، پلی اتیلن گلیکول ، نانوکامپوزیت ، معادله .tauce