شبیه سازی نحوه تشکیل کانال در ترانزیستور سیلیکون روی الماس ۲ لایه با استفاده از روش کوانتومی و مقایسه آن با روش کلاسیک

در این مقاله با توجه به بهبود برخی پارامترها ترانزیستور سیلیکون روی الماس دولایه معرفی شده است که عایق اول الماس و عایق دوم دی اکسید سیلیکون میباشد ما با استفاده از نرم افزار ISE-TCAD- شبیه سازیهای کلاسیک و کوانتومی را انجام داده و مکان تشکیل کانال در ترانزیستئر را در این دو حالت بررسی و مقایسه خواهیم کرد و میخواهیم ببینیم چه پارامترهایی در مکان تشکیل کانال در ترانزیستور موثر .هستند مکان تشکیل کانال در ترانزیستور جهت مدلسازیهای فیزیکی بسیار حائز اهمیت میباشد. مدل استفاده شده جهت شبیه سازیهای کوانتومی مدل گرادیان چگالی میباشد.

کلیدواژه ها:

مکان تشکیل کانال ، شبیه سازی کوانتومی و کلاسیکی ترانزیستور ، ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه ، مدل گرادیان چگالی