بررسی و مقایسه روش های کاهش توان مصرفی و افزایش سرعت در سلول SRAM

طراحی سیستم های الکترونیکی با توان مصرفی کم، یکی از مهمترین بحث های تحقیقاتی روز است و تلاش های زیادی در جهت کاهش توان مصرفی صورت می گیرد. در بسیاری از تراشه های الکترونیکی دیجیتال، توان مصرفی بالا، دمای تراشه را افزایش داده و علاوه بر کاهش قابلیت اطمینان مدار، خنک کردن تراشه را دشوار و پر هزینه می کند. علاوه بر این افزایش توان مصرفی، در سیستم های قابل حمل که از یک باطری به عنوان منبع تغذیه استفاده می کنند، منجر به کاهش طول عمر باطری نیز می گردد. توان مصرفی حا فظه های SRAM مانند سایر مدارهای دیجیتال دیگر، شامل دو بخش توان استاتیکی و توان دینامیکی است که توان استاتیک به صورت محسوسی به جریان های نشتی سلول وابسته می باشد، در این مقاله روش های پیشنهادی در سالهای اخیر به منظور کاهش توان مصرفی و افزایش سرعت در سلول های حافظه بررسی و مقایسه گردیده است.

کلیدواژه ها:

BIT LINE ، SRAM ، حافظه های استاتیکی با دسترسی تصادفی ، توان مصرفی ، سلول حافظه