اکسید گرافن کربوکسیله به عنوان لایه تزریق کننده حفره موثر در دیود نورگسیل پلیمری

در این مقاله، دیود نورگسیل پلیمری (PLED) با پیکربندی glass/ITO/GO-COOH/MEH-PPV/Al ساخته شد. ابتدا لایه نازک ایندیوم قلع اکسید (ITO) بر روی زیرلایه های شیشه ای، به روش کندوپاش فرکانس رادیویی (RF) لایه نشانی و سپس تاثیر اکسید گرافن کربوکسیله (GO-COOH) سنتزی به عنوان لایه تزریق کننده حفره (HIL) بر روی عملکرد PLED ساخته شده با پلی (۲- متوکسی- ۵- (ʹ۲- اتیل هگزیلوکسی)-۱، ۴- فنیلن وینیلن) (MEH-PPV) بررسی شد. همچنین خواص الکتریکی و نوری الکترود شفاف ITO اندازه گیری شد. درنهایت، عملکرد دیود ساخته شده بررسی گردید و با PLED ساخته شده با پلی (۳، ۴- اتیلن دی اکسی تیوفن): پلی (استایرن سولفونات) (PEDOT:PSS) به عنوان HIL موردمقایسه قرار گرفت. به منظور تخمین ارتفاع سد پتانسیل تزریق حفره (j) PLEDs ساخته شده، از مدل تونل زنی فاولر- نوردهایم (FN) استفاده شد. نتایج نشان می دهد که GO-COOH تزریق حفره در داخل ساختار PLED را بهبود داده و سبب کاهش ولتاژ روشن شدن قطعه می شود. بنابراین، GO-COOH می تواند به عنوان یک HIL مناسب در PLEDs و همچنین سایر افزاره های میکرو و نانوالکترونیکی استفاده شود.

کلیدواژه ها:

Indium tin oxide ، Carboxylated graphene oxide ، Poly [۲-methoxy-۵- (۲’-ethyl-hexyloxy)-۱ ، ۴-phenylene vinylene] ، Poly (۳ ، ۴-ethylenedioxythiophene): poly (p-styrenesulfonate) ، Polymer light emitting diode. ، ایندیوم قلع اکسید ، اکسید گرافن کربوکسیله ، پلی (۲- متوکسی- ۵- (ʹ۲- اتیل هگزیلوکسی)-۱ ، ۴- فنیلن وینیلن ، پلی (۳ ، ۴- اتیلن دی اکسی تیوفن: پلی (استایرن سولفونات) ، دیود نورگسیل پلیمری.