CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

اکسید گرافن کربوکسیله به عنوان لایه تزریق کننده حفره موثر در دیود نورگسیل پلیمری

عنوان مقاله: اکسید گرافن کربوکسیله به عنوان لایه تزریق کننده حفره موثر در دیود نورگسیل پلیمری
شناسه ملی مقاله: JR_ENERGY-7-1_003
منتشر شده در در سال 1396
مشخصات نویسندگان مقاله:

مریم مساح بیدگلی - دانشگاه کاشان
محسن محسن نیا - دانشگاه کاشان
نگین معنوی زاده - دانشکده ی مهندسی برق، خواجه نصیرالدین طوسی

خلاصه مقاله:
در این مقاله، دیود نورگسیل پلیمری (PLED) با پیکربندی glass/ITO/GO-COOH/MEH-PPV/Al ساخته شد. ابتدا لایه نازک ایندیوم قلع اکسید (ITO) بر روی زیرلایه های شیشه ای، به روش کندوپاش فرکانس رادیویی (RF) لایه نشانی و سپس تاثیر اکسید گرافن کربوکسیله (GO-COOH) سنتزی به عنوان لایه تزریق کننده حفره (HIL) بر روی عملکرد PLED ساخته شده با پلی (۲- متوکسی- ۵- (ʹ۲- اتیل هگزیلوکسی)-۱، ۴- فنیلن وینیلن) (MEH-PPV) بررسی شد. همچنین خواص الکتریکی و نوری الکترود شفاف ITO اندازه گیری شد. درنهایت، عملکرد دیود ساخته شده بررسی گردید و با PLED ساخته شده با پلی (۳، ۴- اتیلن دی اکسی تیوفن): پلی (استایرن سولفونات) (PEDOT:PSS) به عنوان HIL موردمقایسه قرار گرفت. به منظور تخمین ارتفاع سد پتانسیل تزریق حفره (j) PLEDs ساخته شده، از مدل تونل زنی فاولر- نوردهایم (FN) استفاده شد. نتایج نشان می دهد که GO-COOH تزریق حفره در داخل ساختار PLED را بهبود داده و سبب کاهش ولتاژ روشن شدن قطعه می شود. بنابراین، GO-COOH می تواند به عنوان یک HIL مناسب در PLEDs و همچنین سایر افزاره های میکرو و نانوالکترونیکی استفاده شود.

کلمات کلیدی:
Indium tin oxide, Carboxylated graphene oxide, Poly [۲-methoxy-۵- (۲’-ethyl-hexyloxy)-۱, ۴-phenylene vinylene], Poly (۳, ۴-ethylenedioxythiophene): poly (p-styrenesulfonate), Polymer light emitting diode., ایندیوم قلع اکسید, اکسید گرافن کربوکسیله, پلی (۲- متوکسی- ۵- (ʹ۲- اتیل هگزیلوکسی)-۱, ۴- فنیلن وینیلن, پلی (۳, ۴- اتیلن دی اکسی تیوفن: پلی (استایرن سولفونات), دیود نورگسیل پلیمری.

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/1555958/