ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
ورود |عضویت رایگان |راهنمای سایت |عضویت کتابخانه ها
عنوان
مقاله

Numerical Analysis of Ballistic Ultrathin Graphene Nanoribbon Field Effect Transistors

سال انتشار: 1391
کد COI مقاله: ICEE20_495
زبان مقاله: انگلیسیمشاهده این مقاله: 869
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 5 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله Numerical Analysis of Ballistic Ultrathin Graphene Nanoribbon Field Effect Transistors

Maziar Noei - University of Tehran, Tehran, Iran
Seyed Mohammad Tabatabaei
Morteza Fathipour

چکیده مقاله:

We have employed a self-consistent solution of openboundary Schrodinger equation based on the non-equilibrium Green’s function formalism coupled to Poisson’s equation inorder to investigate some important characteristics of graphene nanoribbon FETs. Our simulations enable us to compareparameters such as Ion, Ioff and on/off current ratios as well as subthreshold swing and gm in different channel widths and channel lengths. Our results indicate that given the ability to fabricate perfectly patterned few-nanometers wide GNRs, these devices may be able to outperform the current silicon FETs

کلیدواژه ها:

Graphene Nanoribbon FETs, Non-Equilibrium Green’s Function, I-V characteristics, Output parameters

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

کد یکتای اختصاصی (COI) این مقاله در پایگاه سیویلیکا ICEE20_495 میباشد و برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/154704/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
Noei, Maziar and Tabatabaei, Seyed Mohammad and Fathipour, Morteza,1391,Numerical Analysis of Ballistic Ultrathin Graphene Nanoribbon Field Effect Transistors,20th Iranian Conference on Electric Engineering,Tehran,https://civilica.com/doc/154704

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1391, Noei, Maziar؛ Seyed Mohammad Tabatabaei and Morteza Fathipour)
برای بار دوم به بعد: (1391, Noei؛ Tabatabaei and Fathipour)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • S. K. Maiti, Solid State C ommunication S, 149 25-26: ...
  • _ _ _ _ _ September (2007). ...
  • _ _ _ Phys. ...
  • _ _ _ _ of ...
  • Y. W. Son, M. L. Cohen, and S. G. Louie, ...
  • D.I. Odili, Y. Wu, P.A. Childs, D.C. Herbert, "Modeling Charge ...
  • D. S. Fisher and P.A Lee, Phys. Rev. B Vol. ...
  • _ _ _ _ _ dependence" Phys. Rev. B., Vol. ...
  • M. Y. Han, A Ozyilmaz, Y. Zhang, and P. Kim, ...
  • Y. Yoon, D. E. Nikonov, and S. Salahuddin, "Role of ...
  • field-effect in atomically thin carbon Electricء [1] K. S. Novoselov ...
  • I. Meric, M. Y. Han, A. F. Young, B. Ozyilmaz, ...
  • X. Wang, et al. _ :Room- temperature all _ semiconducting ...
  • R. Moradian, P. Zereshki, S. Haseli and . Hayati , ...
  • _ _ _ _ dependence", Phys. Rev. B, vol. 54, ...
  • _ _ _ _ Armchair Graphene Nanoribbons, Phys. Rev. B, ...
  • G. Liang, N. Neophytou, M. S. Lundstrom, and D. E ...
  • M. P. Anantram, Mark S. Lundstrom, and Dmitri, E. _ ...
  • مدیریت اطلاعات پژوهشی

    صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز: دانشگاه دولتی
    تعداد مقالات: 63,668
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مقالات مرتبط جدید

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

    پشتیبانی