یک ساختارجدید افزاره سیلیکون روی عایق دولایه برای بهبود شیب زیرآستانه

سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,007

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEE20_191

تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391

چکیده مقاله:

دراین مقاله یک ساختارجدید افزاره سیلیگون روی عایق دولایه پیشنهاد شده است دراین افزاره از دولایه عایق مدفون جهت بهبود اثرات خودگرمایی و شیب زیرآستانه استفاده شده است عایق روبین دارای ثابت دی الکتریک کوچکتر درمقایسه با عایق زیرین می باشد رسانایی حرارتی عایق زیرین بگونه ای استکه حداکثر انرژی حرارتی را به زیرلایه منتقل می کند نتایج شبیه سازی ترانزیستور 22 نانومتر سیلیکون روی عایق با بدنه خیلی نازک بیانگر کاهش نفوذ میدان الکتریکی از سمت سورس / درین به بدنه می باشد همچنین نتایج شبیه اسزی موید 3 درصد افزایش ماکزیمم درجه حرارت ناحیه فعال ترانزیستور و بهبود شیب زیراستانه قابل مقایسه با افزاره سیلیکون روی عایق می باشد از ساختارافزاره سیلیکون روی عایق پیشنهادی می توان برای کاهش اثرات خودگرمایی استفاده نمود.

کلیدواژه ها:

افزاره ، سیلیکون روی عایق ، شیب زیراستانه ، کاهش سدپتانسیل ناشی از درین

نویسندگان

آرش دقیقی

استادیار دانشگاه شهرکرد

سیدجعفر حسینی تشنیزی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Mansun Chan, Pin Su, Hui Wan, Chung-Hsun Lin, Samuel K.-H ...
  • Thomas Skotnicki, :Materials and device structures for sub-32 nm CMOS ...
  • S.D. Wolter, G.N. Yushin, F. Okuzumi, B.R. Stoner, J.T. Prater ...
  • J. Zimmer and G. Chandler, "GaN on SOD Substrates - ...
  • SOD wafer' Dimond and Related Materials, Vol. 11, pp. 405- ...
  • A. Aleksov, X. Li, N. Govindaraju, J.M. Gobien, S.D. Wolter, ...
  • _ _ _ ELECTRON DEVICE LETTERS, Vol. 25, NO. 11, ...
  • _ _ _ _ _ Electronics. Vol. 53, pp. 540-547, ...
  • نمایش کامل مراجع