A 3-ppm/°C Bandgap Voltage Reference Using MOSFETs in Strong Inversion Region

سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,969

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEE20_067

تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391

چکیده مقاله:

An accurate bandgap voltage reference (BVR) which utilizes the thermal behavior of the threshold voltage and electron mobility of NMOS transistors is presented in thispaper. The circuit is based on a well-known addition of a proportional to absolute temperature (PTAT) and complementary to absolute temperature (CTAT) references. ThePTAT circuit uses the temperature coefficient (TC) of the electron mobility and the CTAT circuit uses the TC of thethreshold voltage to generate accurate PTAT and CTAT currents. The circuit is designed in a 0.18μm CMOS technology.Simulation results show a temperature coefficient (TC) of 3ppm and power supply rejection ratio (PSRR) of 77dB at DC frequency.

کلیدواژه ها:

Bandgap Voltage Reference (BVR) ، High PSRR ، Low TC ، Strong Inversion Region

نویسندگان

Ehsan Shami

Electrical & Computer Faculty of K. N. Toosi University of Technology, Tehran, Iran

Hossein Shamsi

Electrical & Computer Faculty of K. N. Toosi University of Technology, Tehran, Iran

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :