بررسی اثرات دمایی زیرپایه های سیلیکون روی الماس درپروسه 45nm
محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 984
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE19_238
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
چکیده مقاله:
دراین مقاله مشخصه دمایی زیرپایه های سیلیکون روی عایق Soi و سیلیکون روی الماس sod با استفاده از شبیه سازی هیدرودینامیک ترانزیستورهای با طول کانال 45 نانومتر مورد بررسی قرارگرفته است الماس دارای هدایت گرمایی درحدود 1400 برابر اکسید سیلیکون می باشد لذا با انتقال سریع گرما درزیرپایه های سیلیکون روی الماس دمای شبکه سیلیکون نسبت به زیرپایه های سیلیکون روی عایق بسیار افت کرده بطوریکه امکان استفاده ازاین زیرپایه ها را درشرایط دمایی یکسان و توان بالاتر فراهم می کند نتایج شبیه سازی ترانزیستور سیلیکون روی الماس با طول کانال 45 نانومتر نشان دهنده حداقل 48 درصد کاهش دما دربایاس VGS=VDS=1/1 V درمقایسه با ترانزیستور سیلیکون روی عایق می باشد دراین مقاله برای اولین بار اثرعایق مدفون الماس درانتقال حرارت تولید شده درترانزیستور فعال به ترانزیستورهای کناری مورد بررسی قرارمیگیرد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
آرش دقیقی
استادیار دانشگاه شهرکرد
شهین زمانی
دانشجوی کارشناسی ارشد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :