ترانزیستورهای مبتنی بر نانو لوله های کربنی و گرافن

با توجه به افزایش روز افزون نیاز به تراشه هایی با ابعاد کوچک تر، استفاده از فناوری نانو در ساخت ترانزیستورها به عنوان جزءاصلی تراشه ها ضروری به نظر می رسد . نانولوله های کربنی و گرافن با توجه به ساختار شیمیایی و فیزیکی، کم جرمی و سختی خاصآنها، گزینه مناسبی برای ترانزیستورهای اثر میدان می باشند. با توجه به این که تغییراتی همچون، قدرت سوئیچ پذیری بالاتر، منحنیهای ولتاژ به جریان ایده آل تر، توزیع سرعت انتقال کربن و تحرک پذیری بهتر را در ترانزیستور های نسل جدید به همراه خواهدداشت و همچنین در مدارات مجتمع به کار برده شده می تواند باعث جریان کشی کمتر که خود منجر به توان مصرفی پایین تر و درنتیجه بهبود کارایی نسبت به ماسفت های سیلیسیمی می شود. بنابراین در این مقاله ساختار ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانوموادکربنی، از لحاظ ساختار هندسی، روش های ساخت و پیاده سازی و همچنین نحوه عملکرد و تئوری ایجاد جریان مورد بحث و بررسیقرار می گیرد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور ، گرافن ، نانولوله های کربنی ، سیلیکون ، سد شاتکی