ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
ورود |عضویت رایگان |راهنمای سایت |عضویت کتابخانه ها
عنوان
مقاله

بررسی جذب گاززنون روی سطح گرافن نقص دار با استفاده از روش شبیه سازی دینامیک مولکولی

سال انتشار: 1390
کد COI مقاله: NCNN01_345
زبان مقاله: فارسیمشاهده این مقاله: 1,363
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 9 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله بررسی جذب گاززنون روی سطح گرافن نقص دار با استفاده از روش شبیه سازی دینامیک مولکولی

مریم خراطها - دانشگاه اصفهان دانشکده علوم گروه فیزیک
امیر سیدحسن روضاتیان
امین اله واعظ

چکیده مقاله:

یکی از کاربردهای مهم گرافن استفاده از آن برای ساخت حسگرهای گازی است چون گرافن های تولید شده در آزمایشگاه معمولا نقص دار هستند بنابراین دراین پژوهش با روش شبیه سازی دینامیک مولکولی جذب هم دمای گاز زنون Xe روی گرافن با نقص استون - ولز بررسی شده است دراین شبیه سازی ازپتانسیل بس ذره ای برتر برای شبیه سازی برهم کنش کربن -c کربن که درصفحه گرافن و پتانسیل دو ذره ای لنارد - جونز برای شبیه سازی برهم کنش Xe-C Xe-Xe استفاده شده است دراین مقاله تابع توزیعی شعاعی میزان پوشش جذب گرمای جذب و انرژی بستگی گازهای جذب شده دردماهای بین 90 k تا 130k و فشارهای مختلف اندازه گیری شده اند نتیجه ها نشان میدهد که این ماده می تواندنامزد مناسبی برای جذب گاز xe باشد.

کلیدواژه ها:

گرافن نقص دار، شبیه سازی دینامیک مولکولی، جذب گاز، نقص توپولوژیکی

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

کد یکتای اختصاصی (COI) این مقاله در پایگاه سیویلیکا NCNN01_345 میباشد و برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/143364/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
خراطها، مریم و سیدحسن روضاتیان، امیر و واعظ، امین اله،1390،بررسی جذب گاززنون روی سطح گرافن نقص دار با استفاده از روش شبیه سازی دینامیک مولکولی،اولین همایش نانومواد و نانوتکنولوژی،شاهرود،https://civilica.com/doc/143364

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1390، خراطها، مریم؛ امیر سیدحسن روضاتیان و امین اله واعظ)
برای بار دوم به بعد: (1390، خراطها؛ سیدحسن روضاتیان و واعظ)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مدیریت اطلاعات پژوهشی

صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

علم سنجی و رتبه بندی مقاله

مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
نوع مرکز: دانشگاه دولتی
تعداد مقالات: 16,218
در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

مقالات پیشنهادی مرتبط

به اشتراک گذاری این صفحه

اطلاعات بیشتر درباره COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

پشتیبانی