CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

بررسی جذب گاززنون روی سطح گرافن نقص دار با استفاده از روش شبیه سازی دینامیک مولکولی

عنوان مقاله: بررسی جذب گاززنون روی سطح گرافن نقص دار با استفاده از روش شبیه سازی دینامیک مولکولی
شناسه ملی مقاله: NCNN01_345
منتشر شده در اولین همایش نانومواد و نانوتکنولوژی در سال 1390
مشخصات نویسندگان مقاله:

مریم خراطها - دانشگاه اصفهان دانشکده علوم گروه فیزیک
امیر سیدحسن روضاتیان
امین اله واعظ

خلاصه مقاله:
یکی از کاربردهای مهم گرافن استفاده از آن برای ساخت حسگرهای گازی است چون گرافن های تولید شده در آزمایشگاه معمولا نقص دار هستند بنابراین دراین پژوهش با روش شبیه سازی دینامیک مولکولی جذب هم دمای گاز زنون Xe روی گرافن با نقص استون - ولز بررسی شده است دراین شبیه سازی ازپتانسیل بس ذره ای برتر برای شبیه سازی برهم کنش کربن -c کربن که درصفحه گرافن و پتانسیل دو ذره ای لنارد - جونز برای شبیه سازی برهم کنش Xe-C Xe-Xe استفاده شده است دراین مقاله تابع توزیعی شعاعی میزان پوشش جذب گرمای جذب و انرژی بستگی گازهای جذب شده دردماهای بین 90 k تا 130k و فشارهای مختلف اندازه گیری شده اند نتیجه ها نشان میدهد که این ماده می تواندنامزد مناسبی برای جذب گاز xe باشد.

کلمات کلیدی:
گرافن نقص دار، شبیه سازی دینامیک مولکولی، جذب گاز، نقص توپولوژیکی

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/143364/