معرفی روشی برای بررسی ویژگیهای ترابرد الکترونی در SiNW با استفاده از توابع وانیر و نرم افزار Wannier ۹۰

بررسی هدایت نانوسیمهای سیلیکونی آلاییده با بور (B-SiNW) به واسطه ترابرد الکترونی (electronic transport) مسئله ای چالش برانگیز در سالهای اخیر میباشد. برای درک این پدیده کوانتومی، در نظر گرفتن ویژگیهای ترابرد الکترونی ضروری است. هدف از مطالعه حاضر این است که با استفاده از نظریه تابعیت چگالی حالت پایه GS-DFT و روش شبه پتانسیل امواج تخت (plane wave)، روشی برای بررسی هدایت نانوسیمهای سیلیکونی (SiNW) با تاثیر آلایش نوع p با استفاده از تابع وانیر معرفی کنیم. همچنین مطالعه حاضر با استفاده از توابع وانیر به واسطه ترابرد الکترونی جهت کاربرد در بیوسنسورها میتواند به کار رود.

کلیدواژه ها:

نظریه GS-DFT ، نانوسیم سیلیکونی آلائیده با بور ، تابع وانیر ، وانیر ۹۰ ، ترابرد الکترونی