محسن افتاده - بخش شیمی دانشگاه پیام نور، تهران، ایران
راحله معصومی فرد - دانشجوی دکتری بخش شیمی دانشگاه پیام نور، تهران، ایران
کیامرث اسکندری - بخش شیمی دانشگاه صنعتی اصفهان، اصفهان، ایران

بررسی هدایت نانوسیمهای سیلیکونی آلاییده با بور (B-SiNW) به واسطه ترابرد الکترونی (electronic transport) مسئله ای چالش برانگیز در سالهای اخیر میباشد. برای درک این پدیده کوانتومی، در نظر گرفتن ویژگیهای ترابرد الکترونی ضروری است. هدف از مطالعه حاضر این است که با استفاده از نظریه تابعیت چگالی حالت پایه GS-DFT و روش شبه پتانسیل امواج تخت (plane wave)، روشی برای بررسی هدایت نانوسیمهای سیلیکونی (SiNW) با تاثیر آلایش نوع p با استفاده از تابع وانیر معرفی کنیم. همچنین مطالعه حاضر با استفاده از توابع وانیر به واسطه ترابرد الکترونی جهت کاربرد در بیوسنسورها میتواند به کار رود.

نظریه GS-DFT، نانوسیم سیلیکونی آلائیده با بور، تابع وانیر، وانیر ۹۰، ترابرد الکترونی