طراحی یک تقویت کننده پهن باند کم نویز با تطبیق مناسب امپدانس خروجی و ورودی در تکنولوژی ۰,۱۸ میکرومتر

سال انتشار: 1400
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 339

فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ECMCONF06_009

تاریخ نمایه سازی: 27 دی 1400

چکیده مقاله:

هدف از انجام این پژوهش، تحلیل و بهینه سازی تقویت کننده ی کم نویز CMOS پهن باند می باشد. چالش های جدیدر پیاده سازی اجزای گیرنده فراپهن باند وجود دارد که یکی از مهمترین آنها طراحی بلوک تقویت کننده کم نویز فراپهن-باند است که بلوکی کلیدی در بسیاری از گیرنده های رادیویی با کارایی بالاست زیرا عملکرد این قسمت به شدت حساسیتو گزینندگی سیستم را تحت تاثیر قرار میدهد و معمولا اولین بلوک فعال گیرنده بعد از آنتن است. تقویت کننده کم نویزسیگنال های ورودی را به گونه ای تقویت می کند که نویز تولید شده به وسیله بلوک های بعدی کمترین تاثیر را بر روی نسبتسیگنال به نویز (SNR) سیستم داشته باشد. بنابراین باید دارای پهنای باند بالا، بهره بالا و هموار، نویز فیگر پایین، تطبیق امپدانس مناسب و مصرف توان پایین باشد. با توجه به گسترش روزافزون سیستم های فراپهن باند، بهینه سازی سیستم هایفوق امری ضروری می باشد. هدف ما در این مقاله طراحی تقویت کننده کم نویزی است که دارای عملکرد مطلوب بوده ومشخصات مد نظر شامل تطبیق امپدانس ورودی مناسب، نویز کم، بهره هموار، و مصرف توان پایین باشد. شبیه سازی هایلازم با استفاده از نرم افزار Hspice در پروسه استاندارد ۰.۱۸ میکرومتر CMOS انجام گرفته و با نتایج کارهای قبلی مقایسه شده است.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده کم نویز ، CMOS ، بهینه سازی

نویسندگان

فرشاد عزیزی

گروه مهندسی برق-الکترونیک، واحد مهاباد، دانشگاه آزاد اسلامی، مهاباد، ایران

نادیا قاسم زاده

گروه مهندسی پزشکی-بیو مکانیک، دانشگاه غیرانتفاعی علم و فن ارومیه ، ارومیه، ایران