طراحی و تحلیل یک ترانزیستور اثرمیدانی تونلی بدون پیوند دو گیتی با ساختار گیت چند ماده ای

سال انتشار: 1400
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 334

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_JIAE-18-4_009

تاریخ نمایه سازی: 27 مهر 1400

چکیده مقاله:

در این مقاله، یک ترانزیستور اثرمیدانی دو گیتی تونلی بدون پیوند با ساختار گیت چند ماده ای  (Multi Material DG JL TFET) ارائه شده و عملکرد آن براساس سطوح نوار­های انرژی مورد بررسی قرار گرفته است.  تمام شبیه سازی­ها توسط نرم افزار سیلواکو انجام گرفته است. تاثیر مینیمم محلی نوار هدایت در شدت انتقال بین حالت های روشن و خاموش نشان داده شده است. از نتایج بدست آمده مشخص شد با انتخاب مقدار مناسب تابع کار برای فلزات گیت ساختار ارائه شده، می توان به جریان حالت خاموش پایین، شیب زیر آستانه پایین، جریان حالت روشن بالا و نسبت جریان حالت روشن به جریان حالت خاموش بهبود یافته ای دست یافت. همچنین در این مقاله مشخصه های الکتریکی ساختار دو گیتی با گیت چند ماده ای با مشخصه ­های ساختار گیت یک ماده ای و دو ماده ای مقایسه گردید. ساختار پیشنهادی ولتاژ آستانه کمتر، جریان حالت روشن بالاتر و نسبت جریان حالت روشن به جریان حالت خاموش بالاتری در مقایسه با سایر ساختارها نشان داد. در نهایت، با مقایسه پاسخ فرکانسی ساختارهای ارائه شده مشخص گردید ساختار با گیت چند ماده ای دارای ترارسانایی و فرکانس قطع بالایی است.

کلیدواژه ها:

Junctionless tunnel field effect transistor (JLTFET) ، Band to band tunneling (BTBT) ، Workfunction ، Multi material gate (MMG) ، OFF current ، ON current ، ترانزیستور اثرمیدانی تونلی بدون پیوند ، تونل زنی باند به باند ، تابع کار ، گیت چند ماده ای ، جریان حالت خاموش ، جریان حالت روشن

نویسندگان

نگار بشیری

Department of Electrical Engineering, Khoy Branch, Islamic Azad University, Khoy

رضا حسینی

Department of Electrical Engineering, Khoy Branch, Islamic Azad University, Khoy

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Ghosh, D., Parihar, M., Armstrong G., Kranti, A., ʺHigh-Performance Junctionless ...
  • Koukab, A., Jazaeri F., Sallese, J., ʺOn performance scaling and ...
  • Baruah R., Paily, R., ʺA Dual-Material Gate Junctionless Transistor With ...
  • Lee, C., Afzalian, A., Akhavan, N., Yan, R., Ferain I., ...
  • Wang, T., Lou, L., Lee, Ch., ʺA Junctionless Gate-All-Around Silicon ...
  • ]۹[ نادری ع.، قدرتی م.، "ساختار جدید ترانزیستور اثر میدانی ...
  • حجازی فر م.، صدیق ضیابری س.، "بررسی اثر هاله ناخالصی ...
  • Bjork, M., Knoch, J., Schmid, H., Riel, H., Riess, W., ...
  • Kazazis, D., Jannaty, P., Zaslavsky, A., Royer, C., Tabone, C., ...
  • Hemmat, M., Kamal, M., Afzali-Kusha, A., Pedram, M., ʺStudy on ...
  • Lee, M., Fitzgerald, E., ʺStrained Si, SiGe, and Ge channels ...
  • خاتمی م.، شالچیان م.، "تحلیل و بهبود جریان حالت خاموش ...
  • Hosseini, R., Teimourzadeh, N., Fathipour, M., ʺA new source heterojunction ...
  • Silvaco Int. ATLAS User’s Manual. Device simulation Software, Silvaco International ...
  • Lide, D.R., CRC Handbook on Chemistry and Physics, ۸۹th edn. ...
  • Schenk, A., ʺA model for the field and temperature dependence ...
  • Ghosh, D., Parihar, M., Armstrong G., Kranti, A., ʺHigh-Performance Junctionless ...
  • Koukab, A., Jazaeri F., Sallese, J., ʺOn performance scaling and ...
  • Baruah R., Paily, R., ʺA Dual-Material Gate Junctionless Transistor With ...
  • Lee, C., Afzalian, A., Akhavan, N., Yan, R., Ferain I., ...
  • Wang, T., Lou, L., Lee, Ch., ʺA Junctionless Gate-All-Around Silicon ...
  • ]۹[ نادری ع.، قدرتی م.، "ساختار جدید ترانزیستور اثر میدانی ...
  • حجازی فر م.، صدیق ضیابری س.، "بررسی اثر هاله ناخالصی ...
  • Bjork, M., Knoch, J., Schmid, H., Riel, H., Riess, W., ...
  • Kazazis, D., Jannaty, P., Zaslavsky, A., Royer, C., Tabone, C., ...
  • Hemmat, M., Kamal, M., Afzali-Kusha, A., Pedram, M., ʺStudy on ...
  • Lee, M., Fitzgerald, E., ʺStrained Si, SiGe, and Ge channels ...
  • خاتمی م.، شالچیان م.، "تحلیل و بهبود جریان حالت خاموش ...
  • Hosseini, R., Teimourzadeh, N., Fathipour, M., ʺA new source heterojunction ...
  • Silvaco Int. ATLAS User’s Manual. Device simulation Software, Silvaco International ...
  • Lide, D.R., CRC Handbook on Chemistry and Physics, ۸۹th edn. ...
  • Schenk, A., ʺA model for the field and temperature dependence ...
  • نمایش کامل مراجع