شبیه سازی ترانزیستورهای HFET یک کاناله و دو کاناله براساس InGaP/InGaAs/GaAs با اعمال اثرات کوانتومی
محل انتشار: دهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,861
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE10_007
تاریخ نمایه سازی: 7 آذر 1390
چکیده مقاله:
دراین مقاله ترانزیستور اثر میدان یک کاناله و دوکاناله با استفاده از پیوند ناهمگن HEET براساس InGaP/InGaAs/GaAs شبیه سازی شده است هدف از این بررسی تونل زدن بین دو کانال و اثر آن برمشخصه ترانزیستور بوده است در شبیه سازی این ترانزیستور ها لازم است اثر غیرمحلی پتانسیل بر الکترون درن ظر گرفته شود دراین مقاله اثر غیرمحلی پتانسیل بصورت یک تصحیح کوانتومی در معادلات درنظر گرفته شده است نتایج شبیه سازی همخوانی خوبی با نتایج آزمایش دارد برای ساختار یک کاناله هم شبیه سازی انجام گرفته و نتایج آن با حالت دو کاناله مقایسه شده است که نشان دهنده بهبود مشخصه های ساختار دوکاناله نسبت به یک کاناله است.
کلیدواژه ها:
ترانزیستور اثر میدان با استفاده از پیوند ناهمگون heet ، ترانزیستورهای اثر میدان با کانال آلایش شده DCFET) ، شبیه سازی
نویسندگان
رحیم فائز
دانشکده مهندسی برق دانشگاه صنعتی شریف تهران
احسان عطایی پور
دانشکده مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکز
عقیل باجلان
دانشکده مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :