طراحی تقویت کننده عملیاتی CMOS با توان پایین

روند گرایش به سمت سیستم های چیپ سیلیکونی با توان و ولتاژ پایین به سبب تقاضا جهت کوچک تر شدن اندازه و طولانی تر شدن طول عمر باتری برای کاربردهای پورتابل (قابل حمل) در تمامی بخشهای بازاریابی و تجارت، توجهات بسیاری را به خود جلب کرده است . منبع تغذیه جهت کاهش کل توان مصرفی سیستم با نسبت ثابتی کاهش یافته است. در این مقاله یک روش متداول برای طراحی تقویت کننده عملیاتی CMOS دو مرحله ای ارائه شده است . همچنین از یک مدار دو طبقه برای ارائه نویز فیگر، افزایش بهره و مصرف توان پایین استفاده شده است . بعضی از توپولوژی هایی برای طراحی LNA مانند: تطبیق امپدانس، تقویت کننده گیت مشترک (CG) و فیدبک سری و تقویت کننده های کاسکود وجود دارند .در ادامه مقاله بحثهایی همچون ساختارهای متداول سلف فعال و مزایای قابل توجه این سلف ها و نیز طراحی تقویت کننده کلی که شامل سه طبقه است و هر کدام از این طبقات دارای مدار فیدبک مشترک میباشند توضیح به عمل آمده است. و در اخر راجب انتخاب توپولوژی تقویت کننده و تقویت کننده توزیع شده رایج ، توضیح داده ایم.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده عملیاتی CMOS ، سلف فعال ، بهره بالا ، کم نویز