بهبود عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل‌زنی در حضور ناهمپوشانی

سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 346

فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_JME-17-59_015

تاریخ نمایه سازی: 21 اسفند 1399

چکیده مقاله:

یکی از موارد مهم در فرآیند ساخت افزاره‌ها در مقیاس نانومتر، آندرلپ بین ناحیه گیت و نواحی درین– سورس است. در این مقاله برای اولین بار اثر آندرلپ بین ناحیه گیت و نواحی درین- سورس برای ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل‌زنی بررسی شده است. برای مطالعه و شبیه‌سازی مشخصات الکتریکی افزاره از حل خودسازگار معادله‌های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده شده است. عملکرد افزاره برحسب جریان حالت روشن، جریان حالت خاموش، نسبت جریان، نوسان زیر آستانه، زمان تاخیر وحاصل‌ضرب توان در تاخیر ارزیابی شده است. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهد که اثر آندرلپ بعضی مشخصه‌های افزاره را بهبود می‌بخشد و روی برخی مشخصه‌ها همانند جریان اشباع اثر نامطلوب دارد. بررسی‌های انجام شده نشان می‌دهد که آندرلپ جریان حالت خاموش را به طور قابل توجهی کاهش می‌دهد و در نتیجه موجب کاهش تونل‌زنی باند به باند و رفتار آمبای‌پلار افزاره می‌گردد. هم‌چنین وجود آندرلپ باعث بهبود پارامتر حاصل‌ضرب توان در تاخیر در مقایسه با ساختار پایه می‌شود. اگرچه آندرلپ عمدتاً بصورت ناخواسته در فرآیند ساخت ایجاد می‌شود اما با ایجاد تعمدی آن نیز می‌توان از مزایای مذکور استفاده نمود. لذا سازنده می‌تواند با ایجاد آندرلپ و انتخاب بهینه‌ طول آن، عملکرد افزاره را در برخی پارامترهای مهم به طور قابل ملاحظه‌ای بهبود دهد.

کلیدواژه ها:

جریان نشتی ، حاصل‌ضرب توان در تاخیر ، ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی تونل‌زنی ، روش تابع گرین غیرتعادلی

نویسندگان

علی نادری

گروه مهندسی برق، دانشکده انرژی، دانشگاه صنعتی کرمانشاه

مریم قدرتی

گروه برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه لرستان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • [1] S.O. Koswatta, D.E. Nikonov, and M. S. Lundstrom, "Computational ...
  • [2] M.J. Lee, and W.Y. Choi, "Effects of Device Geometry ...
  • [3] A. Naderi, and S.A. Ahmadmiri, "Attributes in the Performance ...
  • [4] A. Naderi, and P. Keshavarzi, "The effects of source/drain ...
  • [5] A. Naderi, and M. Ghodrati, "Improving band-to-band tunneling in ...
  • [6] D.L. Pulfrey, and L. Chen, "Comparison of p-i-n and ...
  • [7] L. M. Peng, Z. Zhang, and S. Wang, "Carbon ...
  • [8] A.K. Sharma, R. Gupta, and A. Sharma, "Comparison of ...
  • [9] A. Rahman, J. Guo, and S. Datta, "Theory of ...
  • [10] W. Wang, X. Yang, N. Li, G. Xiao, S. ...
  • [11] H. Wang, Sh. Chang, Y. Hu, H. He, J. ...
  • [12] A. Naderi, and M. Ghodrati, "Cut Off Frequency Variation ...
  • [13] A. Naderi, and M. Ghodrati, "An efficient structure for ...
  • [14] J. Guo, "Carbon nanotube electronics: Modeling, physics, and applications", ...
  • [15] A. Shaker, M. Ossaimee, A. Zekry, "Effect of asymmetrical ...
  • 224 بهبود عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونلی در ...
  • مجله مدل سازی در مهندسی سال هفدهم، شماره 59 ، ...
  • [16] A. Shaker, M. Ossaimee, A. Zekry, M. Abouelatta, "Influence ...
  • [ 17 [ بهروز عبدی تهنه و علی نادری، "ساختار ...
  • شبیهسازی عددی کوانتومی"، نشریه مدلسازی در مهندسی، دوره 16 ، ...
  • ]18[ علی اصغر اروجی، اکرم عنبر حیدری و زینب رمضانی،" ...
  • برای اصلاح چگالی حاملها و کاربردهای توان بالا"، نشریه مدلسازی ...
  • ]19[ میثم زارعی و مهسا مهراد، " تکنیک نوین برای ...
  • نشریه مدلسازی در مهندسی، دوره 16 ، شماره 53 ، ...
  • نمایش کامل مراجع