ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
CIVILICAWe Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
ورود به حساب کاربری
عضویت رایگان |راهنمای استفاده از سایت |عضویت ویژه کتابخانه ها
عنوان
مقاله

طراحی و شبیه‌سازی یک سوئیچ خازنیِ موازیِ RF MEMS با ولتاژ تحریک کم، تلفات پایین و ایزولاسیون بالا

سال انتشار: 1399
کد COI مقاله: JR_JIAE-18-1_004
زبان مقاله: فارسیمشاهد این مقاله: 27
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 7 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله طراحی و شبیه‌سازی یک سوئیچ خازنیِ موازیِ RF MEMS با ولتاژ تحریک کم، تلفات پایین و ایزولاسیون بالا

حمیدرضا انصاری - Imamreza International University
سعید خسروآبادی - Imamreza International University
یاسر مافینژاد - Sadjad University of Technology

چکیده مقاله:

بطورکلی سوئیچ‌­های RF MEMS از نظر نوع اتصال شامل دو دسته سوئیچ‌های‌ خازنی و فلز-به-فلز می‌شوند. سوئیچ‌های خازنی RF MEMS بدلیل توانایی انتقال سیگنال با فرکانس بیشتر و توان بیشتر، سوئیچ‌های بهتری نسبت به سوئیچ‌های فلز-به-فلز محسوب می‌شوند. این مقاله یک سوئیچ RF MEMS خازنیِ موازیِ معلق را با ولتاژ تحریک پایین، نسبت خازنی بالا، زمان سوئیچینگ خوب و ایزولاسیون بالا ارائه می‌دهد. در این سوئیچ از پلِ آلومنیومی بدلیل داشتن مدول یانگ بالا و چگالی پایین استفاده شده است که به کاهش زمان سوئیچینگ کمک می‌کند. همچنین آلومنیوم رسانایی الکتریکی خوبی دارد که منجر به افزایش ایزولاسیون می‌شود. سوئیچ ارائه شده بر روی یک خط CPW با امپدانس 50 اُهم طراحی شده است و از ZrO2   به عنوان لایه دی‌الکتریک استفاده شده است. روی سطح پل، 24 حفره قرار داده شده است که منجر به کاهش ضریب دَمپینگ و افزایش سرعت سوئیچینگ می‌شود. ولتاژ تحریک برای این سوئیچ برابر 5.7 ولت است و نسبت خازنی 231 می‌باشد. تجزیه و تحلیل فرکانس رادیویی با استفاده از نرم‌افزار HFSS انجام شده است. نتایج بدست آمده، ایزولاسیون 27- دسی‌بل، تلفات ورودی0.2- دسی‌بل و تلفات بازگشتی 22- دسی‌بل در فرکانس 17 گیگاهرتز را نشان می‌دهد. همچنین زمان سوئیچینگ 32 میکروثانیه بدست آمده است.

کلیدواژه ها:

Micro electromechanical systems, RF MEMS switch, low actuation voltage, high isolation, low loss, high capacitive ratio, good switching time, سیستم‌های میکرو الکترومکانیکی, سوئیچ RF MEMS, ولتاژ تحریک کم, ایزولاسیون بالا, تلفات پایین, نسبت خازنی بالا, زمان سوئیچینگ خوب

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/1157321/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
انصاری، حمیدرضا و خسروآبادی، سعید و مافینژاد، یاسر،1399،طراحی و شبیه‌سازی یک سوئیچ خازنیِ موازیِ RF MEMS با ولتاژ تحریک کم، تلفات پایین و ایزولاسیون بالا،،،،،https://civilica.com/doc/1157321

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1399، انصاری، حمیدرضا؛ سعید خسروآبادی و یاسر مافینژاد)
برای بار دوم به بعد: (1399، انصاری؛ خسروآبادی و مافینژاد)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود ممقالهقاله لینک شده اند :

  • [1] Rebeiz, G. M., Muldavin, J. B., “RF MEMS switches and ...
  • ]2[ سعید دل‌آرام فریمانی، حسن حاج‌قاسم، علیرضا عرفانیان، ...
  • [3] Mahlooji, M. R., Koohsorkhi, J., “Simulation and Derivation of Deflection ...
  • [4] Wibbeler, J., Pfeifer, G., Hietschold, M., “Parasitic charging of dielectric ...
  • [5] Goldsmith, C., et al., “Lifetime characterization of capacitive RF ...
  • [6] Tazzoli, A., Peretti, V., Meneghesso, G., “Electrostatic discharge and ...
  • [7] Mellé, S., et al., “Reliability modeling of capacitive RF ...
  • [8] Persano, A., Cola, A., De Angelis, G., Taurino, A., ...
  • [9] Van Spengen, W. M., “Capacitive RF MEMS switch dielectric ...
  • [10] Rebeiz, G. M., RF MEMS: Theory, Design, and Technology ...
  • [11] Jaibir, S., Nagendra, K., Amitava, D., “Fabrication of low ...
  • [12] Yu, A. B., Liu, A. Q., Zhang, Q. X., ...
  • [13] Soulimane, S., Casset, F., Charvet, P. L., Maeder, C., ...
  • [14] Yu, H. W., Kim, J. M., “Low-voltage micromechanical RF ...
  • [15] Deng, Z., Wei, H., Fan, S., Gan, J., “Design ...
  • [16] Lakshmi. S, Manohar, P., Naga, S. P., “Optimization of ...
  • [17] Ma, L. Y., Nordin, A. N., Soin, N., “A ...
  • [18] Shekhar, S., Vinoy, K. J., Ananthasuresh, G. K., “Surface- ...
  • [19] Mahameed, R., Rebeiz, G. M., “RF MEMS Capacitive Switches for ...
  • [20] Badia, M. F., Buitrago, E., Ionescu, A. M., “RF MEMS ...
  • [21] Kim, C. H., “Mechanically Coupled Low-Voltage Electrostatic Resistive RF Multithrow ...
  • [22] Mafinejad, Y., Kouzani, A. Z., Mafinezhad, K., Hosseinnezhad, R., “Low ...
  • [1] Rebeiz, G. M., Muldavin, J. B., “RF MEMS switches and ...
  • ]2[ سعید دل‌آرام فریمانی، حسن حاج‌قاسم، علیرضا عرفانیان، ...
  • [3] Mahlooji, M. R., Koohsorkhi, J., “Simulation and Derivation of Deflection ...
  • [4] Wibbeler, J., Pfeifer, G., Hietschold, M., “Parasitic charging of dielectric ...
  • [5] Goldsmith, C., et al., “Lifetime characterization of capacitive RF ...
  • [6] Tazzoli, A., Peretti, V., Meneghesso, G., “Electrostatic discharge and ...
  • [7] Mellé, S., et al., “Reliability modeling of capacitive RF ...
  • [8] Persano, A., Cola, A., De Angelis, G., Taurino, A., ...
  • [9] Van Spengen, W. M., “Capacitive RF MEMS switch dielectric ...
  • [10] Rebeiz, G. M., RF MEMS: Theory, Design, and Technology ...
  • [11] Jaibir, S., Nagendra, K., Amitava, D., “Fabrication of low ...
  • [12] Yu, A. B., Liu, A. Q., Zhang, Q. X., ...
  • [13] Soulimane, S., Casset, F., Charvet, P. L., Maeder, C., ...
  • [14] Yu, H. W., Kim, J. M., “Low-voltage micromechanical RF ...
  • [15] Deng, Z., Wei, H., Fan, S., Gan, J., “Design ...
  • [16] Lakshmi. S, Manohar, P., Naga, S. P., “Optimization of ...
  • [17] Ma, L. Y., Nordin, A. N., Soin, N., “A ...
  • [18] Shekhar, S., Vinoy, K. J., Ananthasuresh, G. K., “Surface- ...
  • [19] Mahameed, R., Rebeiz, G. M., “RF MEMS Capacitive Switches for ...
  • [20] Badia, M. F., Buitrago, E., Ionescu, A. M., “RF MEMS ...
  • [21] Kim, C. H., “Mechanically Coupled Low-Voltage Electrostatic Resistive RF Multithrow ...
  • [22] Mafinejad, Y., Kouzani, A. Z., Mafinezhad, K., Hosseinnezhad, R., “Low ...

    • مدیریت اطلاعات پژوهشی

    صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز: موسسه غیرانتفاعی
    تعداد مقالات: 1,680
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

    پشتیبانی