J-V Characteristics of Heterojunction Solar Cell Based on Carbon Nanotube-Silicon

سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 2,169

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCOLE02_217

تاریخ نمایه سازی: 24 اسفند 1389

چکیده مقاله:

A structure for p-n hetrojunction solar cells have been presented as single wall Carbon Nanotubes (SWCNTs) as absorber and Si as semiconductor window with modest efficiencies. According to Eg=7.98/d (A˚), where d is tube diameter, the band gap of semiconducting SWCNTs (2–3nm in diameter) is estimated to be less than 0.5 eV and with the Fermi level in the middle of the band gap, the work function is assumed to be about 4.8 eV. For this structure, the J-V characteristics in dark and illumination conditions have been calculated theoretically by exerting general formulation of the current-voltage characteristic of a p-n heterojunction solar cell by assuming that the bands are flat in the junction. It is shown that efficiency of cell in one sun and 1.5 AM is about 12%.

نویسندگان

Foozieh Sohrabi

Department of Solid State Physics, Faculty of Physics, University of Tabriz, Tabriz ۵۱۵۶۶, Iran

Hossein Movla

Department of Solid State Physics, Faculty of Physics, University of Tabriz, Tabriz ۵۱۵۶۶, Iran

Khadije Khalili

Photonics-Electronics Group, Research Institute for Applied Physics, and Astronomy (RIAPA), University of Tabriz

Hamed Azari Najafabadi

Photonics-Electronics Group, Research Institute for Applied Physics, and Astronomy (RIAPA), University of Tabriz

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • T. Durkop, S.A. Getty, E. Cobas, M.S. Fuhrer, "Extraordinary Mobility ...
  • M. A. Osman, D. Srivastava, "Temperature Dependence of the Thermal ...
  • P. V. Kamat, M. Haria, S. Hotchandani, "C60 Cluster as ...
  • S. J. Tans, A. R. M. Verschueren and C. Dekker, ...
  • _ Shan, K. Cho, "Ab initio study of Schottky barriers ...
  • _ _ _ Physics Letters, Vol. 80, pp. 112- 114, ...
  • _ J. Landi, R. P. Raffaelle, S. L. Castro, S. ...
  • S. Bhattcharyya, E. Kymakis, G. A. J. Amaratunga, "Photovoltaic properties ...
  • L. Vivien et al., "Optical limiting properties of singlewall carbon ...
  • P. Chen, X. Wu, X. Sun, J. Lin, W. Ji, ...
  • S. Gunes, H. Neugebauer, N. S. Sariciftci, "Conjugated _ _ ...
  • M. S. Arrold, A. A. Green, J. F. Hulvat, Samuel ...
  • Nan otechnology, vol. 1, pp. 60-65, 2006. ...
  • Khadije Khalili, Asghar Asgari, Hossein Movla, Alireza ...
  • tube-Silicon Heterojunction Solar Cells", Nano؛ [14] Yi Jia et. al, ...
  • T.S. Te Velde, "Mathematict analysis of a heterojunction, applied to ...
  • otube-Silicon Heterojunction Solar Cells", Nan؛ [16] Yi Jia et. al, ...
  • Wei J, Jia Y, Shu Q, Gu Z, Wang K, ...
  • W. A. Anderson, R. A. Milano, :I- V characteristics for ...
  • S. Fonash, "General formulation of the current-voltage _ _ solar ...
  • J. W. Mintmire, C. T. White, "Electronic and structural properties ...
  • P. Liu, Q. Sun, F. Zhu, K. Liu, K. Jiang, ...
  • S. M. Sze, Physics of Semiconducto Devices, 2" edition, New ...
  • نمایش کامل مراجع