بررسی مدهای نقصدر کریستال فوتونی سه لایه ای یکبعدی متقارن
محل انتشار: دومین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیزر ایران
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,230
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCOLE02_178
تاریخ نمایه سازی: 24 اسفند 1389
چکیده مقاله:
در این مقاله، کریستال فوتونی سه لایه ای متقارن با نقصدر نظر گرفته شده است. با محاسبه عبور با تغییر طول موج برای قطبشTMمدهای نقصبررسی شده اند. مشاهده شد که درون باند گاف کریستال فوتونی متقارن دو مد نقصوجود دارد. ارتفاع مدهای نقصبه زاویه تابشبستگی ندارند. همچنین با افزایشزاویه تابشمدها به سمت طول موجهای بزرگتر جابه جا می شوند. به علاوه با افزایشضریب شکست لایه نقصمدهای نقصبه سمت مرکز گاف حرکت می کنند. هر چه مکان لایه نقصدر کریستال فوتونی متقارن تر باشد مد نقصبا کیفیت بهتری در باند گاف ایجاد می شود
نویسندگان
عبدالرسول قرائتی
دانشگاه پیام نور شیراز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :