بررسی تولید اکسیتونهای مضاعف با جذب یکتکفوتون در نانوبلورهای نیمرسانا
محل انتشار: دومین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیزر ایران
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 945
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCOLE02_073
تاریخ نمایه سازی: 24 اسفند 1389
چکیده مقاله:
اساسکار وسایل فوتوولتایی نیم رسانا جذب یکفوتون با انرژی بیشتر از انرژی گاف و تولید یکزوج الکترون حفره است که انرژی اضافه تر از انرژی گاف به شکل بر همکنشالکترون و حفره با شبکه بلوری به صورت گرما هدر میرود، اخیرا نشان داده شده است که در نانوبلورهای نیم رسانا محلول و یا نانو بلورهای نیمرسانا لایهای میتوان با جذب یکفوتون با انرژی زیاد چندین حامل بار ایجاد کرد به عبارت دیگر در این نانو بلورها انرژی اضافی صرف تولید اکسیتونهای مضاعف میگردد.در این مقاله به بررسی تولید اکسیتونهای مضاعف و نظریه های مربوط به آن میپردازیم
کلیدواژه ها:
نویسندگان
وحیدرضا شمسایی
گروه فیزیک دانشگاه اصفهان
حمیدرضا فلاح
گروه پژوهشی اپتیک کوانتومی دانشگاه اصفهان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :