بررسی پاسخ اشکارساز نوری فلز - نیمه رسانا - فلز MSM به پالس نوری گوسی با روش تبدیل فوریه

سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,749

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICOPTICP17_155

تاریخ نمایه سازی: 19 آبان 1389

چکیده مقاله:

دراین مقاله جریان الکتریکی دراشکارساز نوری فلز - نیمه رسانا - فلز در یک بعد بااستفاده از معادلات پیوستگی درحالت دینامیک مورد بررسی قرار می گیرد این معادلات با استفاده از نظریه تبدیل انتگرال فوریه حل شده و غلظت حاملها و جریان نوری تعیین شده اند با اعمال پارامترهای مربوط به اشکارساز نوری MSM از نوع GaAs در جوابهای به دست آمده مشخص شده است که افزایش ولتاژ جریان نوری کل را افزایش می دهد زیرا ان سبب افزایش سرعت سوق و کاهش اهنگ باز ترکیب حاملهامی شود در نتیجه حاملهای بیشتری در جریان کل سهیم شده و سرعت پاسخ اشکارساز نوری افزایش می یابد.

نویسندگان

تهمینه محمدعلی زاده

گروه فیزیک دانشکده علوم پایه دانشگاه گیلان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • _ آرفکن، جورج، روشهای ریاضی در فیزیک، مرکز نشر دانشگاهی، ...
  • Anthony W. Sarto and Bart . Van Zeghbroeck, ، 'Pho ...
  • S. M. Sze, "Physics of Semiconductor ", 2nd Edition, John ...
  • Bart J. Van Zeghbroeck, "Principles of Semiconductor Devices", (2004). ...
  • نمایش کامل مراجع