فیلتر نتایج
مقاله کنفرانسی
شبیه سازی ترانزیستورهای HFET یک کاناله و دو کاناله براساس InGaP/InGaAs/GaAs با اعمال اثرات کوانتومی
نویسندگان: رحیم فائز، احسان عطایی پور، عقیل باجلان
سال انتشار 1386
محل انتشار: دهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
تعداد صفحات: 5 | زبان: فارسیمقاله کنفرانسی
بررسی تاثیر لایه روکش (cap) بر مقاومت سورس ترانزیستور HFET ساخته شده با AlGaN-GaN
نویسندگان: محمد صادق پیشوایی، رحیم فائز، احسان عطائی پور، عقیل باجلان
سال انتشار 1387
محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
تعداد صفحات: 7 | زبان: فارسیمقاله کنفرانسی
شبیه سازی HEMT دو کاناله بر اساس GaN با اثرات کوانتومی و مقایسه آن با یک کاناله
نویسندگان: رحیم فائز، عقیل باجلان
سال انتشار 1386
محل انتشار: پانزدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران
تعداد صفحات: 5 | زبان: فارسی