فیلتر نتایج
مقاله ژورنالی
A Reliable LDMOS Transistor Based on GaN and Si۳N۴ Windows in Buried Oxide
نویسندگان: Mahsa Mehrad، Meysam Zareiee
سال انتشار 1401
محل انتشار: دوفصلنامه علوم محاسباتی و مهندسی شماره 2، دوره 2
تعداد صفحات: 7 | زبان: انگلیسی
مقاله کنفرانسی
Reliable and High Voltage Device with widebandgap energy material for the PowerApplications
نویسندگان: Mahsa Mehrad، Meysam Zareiee، Sina Mehrad
سال انتشار 1401
محل انتشار: کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق
تعداد صفحات: 6 | زبان: انگلیسیمقاله کنفرانسی
High Breakdown Voltage and ReducedTemperature in LDMOS Transistor with BuriedOxide Engineering
نویسندگان: Mahsa Mehrad، Meysam Zareiee
سال انتشار 1401
محل انتشار: کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق
تعداد صفحات: 5 | زبان: انگلیسی
مقاله کنفرانسی
P-Regions With U Shape Beneath N-Drift Region In LDMOS Transistor (UND-LDMOS) A Novel Technique For Electric Field Control To Improve Breakdown Voltage
نویسندگان: Mahsa Mehrad، Elmira Safarpour، Meysam Zareiee
سال انتشار 1395
محل انتشار: سومین کنگره بین المللی کامپیوتر، برق و مخابرات
تعداد صفحات: 7 | زبان: انگلیسی
مقاله ژورنالی
Time Management Approach on a Discrete Event Manufacturing System Modeled by Petri Net
نویسندگان: Meysam Zareiee، Abbas Dideban، Ali A. Orouji
سال انتشار 1390
محل انتشار: فصلنامه بین المللی مهندسی صنایع و تحقیقات تولید شماره 2، دوره 22
تعداد صفحات: 7 | زبان: انگلیسی
مقاله کنفرانسی
Designing an optimized controller in industrial systems using some Integer Linear Programming Problems
نویسندگان: Meysam Zareiee، Abbas dideban، Ali Asghar Orouji
سال انتشار 1391
محل انتشار: نهمین کنفرانس بین المللی مهندسی صنایع
تعداد صفحات: 5 | زبان: انگلیسی
مقاله کنفرانسی
Time management approach on a discrete event manufacturing system modeled by Petri net
نویسندگان: Meysam Zareiee، Abbas Dideban
سال انتشار 1389
محل انتشار: هفتمین کنفرانس بین المللی مهندسی صنایع
تعداد صفحات: 9 | زبان: انگلیسی