A Reliable LDMOS Transistor Based on GaN and Si۳N۴ Windows in Buried Oxide
سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 36
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_CSE-2-2_014
تاریخ نمایه سازی: 5 اسفند 1402
چکیده مقاله:
High breakdown voltage and reduced specific on-resistance are obtain in the new LDMOS structure with wide band gap material in the buried oxide. GaN with higher mobility and wider band gap energy than silicon is an important material that causes better performance in power devices. Moreover, self-heating effects of the proposed LDMOS structure is controlled using two other Si۳N۴ windows at the top and bottom of the GaN window. Our simulation with two-dimensional ATLAS simulator shows that the proposed three windows in buried oxide of the LDMOS transistor (TW-LDMOS) has better reliability than conventional LDMOS (C-LDMOS) structure due to the flexible behavior of the TW-LDMOS in higher drain voltages and reduced electron temperature.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Mahsa Mehrad
School of Engineering, Damghan University, Damghan, Iran
Meysam Zareiee
School of Engineering, Damghan University, Damghan, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :