فیلتر نتایج
مقاله ژورنالی
Dual-Channel Indium Nitride Tunnel Field Effect Transistor: A Comprehensive Study on Design, Sensitivity, and Electrical Performance
نویسندگان: Zahra Ahangari
سال انتشار 1402
محل انتشار: مجله مدلسازی و شبیه سازی در مهندسی برق و الکترونیک شماره 4، دوره 2
تعداد صفحات: 9 | زبان: انگلیسی
مقاله ژورنالی
Enhancing High-Performance Computing: A Comprehensive Study on Dual-Doped Source/Drain Reconfigurable Field Effect Transistor
نویسندگان: Z. Ahangari
سال انتشار 1403
محل انتشار: مجله نوآوری های مهندسی برق و کامپیوتر شماره 2، دوره 12
تعداد صفحات: 10 | زبان: انگلیسی
مقاله ژورنالی
Performance Analysis of a Steep-Slope Bi-channel GaSb-GaAs Extended Source Tunnel Field Effect Transistor with Enhanced Band-to-Band Tunneling Current
نویسندگان: Zahra Ahangari
سال انتشار 1402
محل انتشار: مجله پژوهش های کاربردی در مهندسی برق شماره 2، دوره 2
تعداد صفحات: 8 | زبان: انگلیسی
مقاله ژورنالی
Performance Optimization of an Electrostatically Doped Staggered Type Heterojunction Tunnel Field Effect Transistor with High Switching Speed and Improved Tunneling Rate
نویسندگان: Mahdi Mohammadkhani Ghiasvand، Zahra Ahangari، Hamed Nematian
سال انتشار 1401
محل انتشار: مجله نانو ساختارهای اپتوالکترونیکال شماره 1، دوره 7
تعداد صفحات: 18 | زبان: انگلیسیمقاله ژورنالی
Switching Performance of Nanotube Core-Shell Heterojunction Electrically Doped Junctionless Tunnel Field Effect Transistor
نویسندگان: Zahra Ahangari
سال انتشار 1399
محل انتشار: مجله نانو ساختارهای اپتوالکترونیکال شماره 2، دوره 5
تعداد صفحات: 12 | زبان: انگلیسی
مقاله کنفرانسی
Workfunction Engineering of Dual Metal Double Gate TunnelField Effect Transistor for Power Relay Application
نویسندگان: Saeid Marjani، Hamid Mousavi
سال انتشار 1401
محل انتشار: هشتمین کنفرانس بین المللی دانش و فناوری مهندسی برق مکانیک و کامپیوتر ایران
تعداد صفحات: 6 | زبان: انگلیسی
مقاله ژورنالی
Novel attributes of steep-slope staggered type heterojunction p-channel electron-hole bilayer tunnel field effect transistor
نویسندگان: Zahra Ahangari
سال انتشار 1398
محل انتشار: مجله بین المللی ابعاد نانو شماره 4، دوره 10
تعداد صفحات: 9 | زبان: انگلیسیمقاله ژورنالی
Representation of a nanoscale heterostructure dual material gate JL-FET with NDR characteristics
نویسندگان: Amirreza Bozorgi Golafzani، Seyed Ali Sedigh Ziabari
سال انتشار 1399
محل انتشار: مجله بین المللی ابعاد نانو شماره 1، دوره 11
تعداد صفحات: 6 | زبان: انگلیسی
مقاله ژورنالی
طراحی و تحلیل یک ترانزیستور اثرمیدانی تونلی بدون پیوند دو گیتی با ساختار گیت چند ماده ای
نویسندگان: نگار بشیری، رضا حسینی
سال انتشار 1400
محل انتشار: فصلنامه مهندسی برق و الکترونیک ایران شماره 4، دوره 18
تعداد صفحات: 7 | زبان: فارسی
مقاله ژورنالی
Quantum size correction to the work function and the centroid of excess charge in positively ionized simple metal clusters
نویسندگان: m payami
سال انتشار 1382
محل انتشار: مجله پژوهش فیزیک ایران شماره 1، دوره 4
تعداد صفحات: 6 | زبان: انگلیسی