فیلتر نتایج
مقاله ژورنالی
Design of ۶۵ nm ۶T SRAM using improved sense amplifiers and write driver circuits
نویسندگان: Quang Vinh Truong، Tuan Dat Tieu
سال انتشار 1404
محل انتشار: مجله مهندسی برق مجلسی شماره 3، دوره 19
تعداد صفحات: 11 | زبان: انگلیسی
مقاله ژورنالی
An Ultra-low-power Static Random-Access Memory Cell Using Tunneling Field Effect Transistor
نویسندگان: N. Arunkumar، N. Senathipathi، S. Dhanasekar، P. Malin Bruntha، C. Priya
سال انتشار 1399
محل انتشار: ماهنامه بین المللی مهندسی شماره 11، دوره 33
تعداد صفحات: 7 | زبان: انگلیسی
مقاله کنفرانسی
PSEUDO-STATIC SLOPE STABILITY ANALYSIS BY RANDOM FINITE ELEMENT METHOD
نویسندگان: Ali Johari، Mohammad Zandpour
سال انتشار 1398
محل انتشار: هشتمین کنفرانس بین المللی زلزله شناسی و مهندسی زلزله
تعداد صفحات: 7 | زبان: انگلیسیمقاله ژورنالی
Energy Efficient Novel Design of Static Random Access Memory Memory Cell in Quantum-dot Cellular Automata Approach
نویسندگان: S. Kassa، S. Nema
سال انتشار 1398
محل انتشار: ماهنامه بین المللی مهندسی شماره 5، دوره 32
تعداد صفحات: 6 | زبان: انگلیسی
مقاله کنفرانسی
Error Analysis in Random Vibration Test of a Strapdown INS
نویسندگان: S. H. Taghavi، A Abdoli، M. B. Menhaj
سال انتشار 1395
محل انتشار: کنفرانس بین المللی ناوبری
تعداد صفحات: 6 | زبان: انگلیسی
مقاله کنفرانسی
Analysis and Modeling of the Effect of Statistical Fluctuations on (6T) nano-CMOS SRAM Cell Stability
نویسندگان: H Tasdighi، D Dideban
سال انتشار 1393
محل انتشار: اولین همایش ملی الکترونیکی پیشرفت های تکنولوژی در مهندسی برق، الکترونیک و کامپیوتر
تعداد صفحات: 7 | زبان: انگلیسی
مقاله کنفرانسی
Reliability Analysis of Static Soil Liquefaction Using Random Finite Element Method
نویسندگان: A Johari، A Fazeli، J rezani Pour
سال انتشار 1392
محل انتشار: اولین کنفرانس ملی مهندسی ژئوتکنیک
تعداد صفحات: 8 | زبان: انگلیسی