مقالات بین المللی خارج از کشور
مقالات کنفرانسهای داخلی
- طراحی پروفایل نا خالصی بهینه در ساختار ترانزیستور GaAs PHEMT ارائه شده در کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر (1394)
- طراحی لایه ی سد ترانزیستور AlGaAs/InGaAs PHEMT ازطریق بهینه سازی مشخصات DC و RF ترانزیستور ارائه شده در کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی در علوم،مهندسی و فناوری با محوریت پژوھشھای نیاز محور (1394)
- طراحی ترانزیستور GaN HEMT با طول گیت 14 نانومتر ارائه شده در کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی در علوم،مهندسی و فناوری با محوریت پژوھشھای نیاز محور (1394)
- بهبود در مدارهای بایاس و جبران سازی آپ امپ ها ارائه شده در ششمین همایش فرامنطقه ای پیشرفتهای نوین در علوم مهندسی (1392)
- طراحی مدار گیت درایو رزونانسی جدید با قابلیت بازیافت انرژی ارائه شده در پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران (1392)
- طباطبائی سیدغیاث الدین، علیرضا عرفانیان و محسن حق پناه."کاهش اثرات خودگرمایی ترانزیستورهای AlGaN/GaN HEMT با استفاده از لایه پسیو Al2O3."، بیست و دومین کنفرانس مهندس برق ایران (ICEE 2014)، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، 1392 (1392)