ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
CIVILICAWe Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

طراحی پروفایل نا خالصی بهینه در ساختار ترانزیستور GaAs PHEMT

سال انتشار: 1394
کد COI مقاله: COMCONF01_313
زبان مقاله: فارسیمشاهد این مقاله: 350
فایل این مقاله در 21 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 21 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله طراحی پروفایل نا خالصی بهینه در ساختار ترانزیستور GaAs PHEMT

محسن حق پناه - دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک دانشگاه صنعتی مالک اشتر
علیرضا عرفانیان - استادیار دانشکده برق و الکترونیک دانشگاه صنعتی مالک اشتر
احمد عفیفی - استادیار دانشکده برق و الکترونیک دانشگاه صنعتی مالک اشتر
سیدغیاث الدین طباطبایی پور - دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک دانشگاه صنعتی مالک اشتر

چکیده مقاله:

دراین مقاله طراحی پروفایل ناخالصی درترانزیستورهای PHEMT مورد بررسی قرارگرفته است به این منظور دوترانزیستور یکی باالایش یکنواخت ودیگری باالایش غیریکنواخت لایه ی سد درنظر گرفته شده و اثرتغییر مقدارناخالصی درترکیب سه تایی AlxGa1-xAs بررسی شده است بررسی ها نشان میدهد که باافزایش مقدارناخالصی لایه ی سد جریان درین بیشینه و گستره ی غیرصفر هدایت انتقالی افزایش می یابد که این افزایش برای فرکانسهیا قطع fTو fMAX تامقدار ناخالصی خاصی اتفاق می افتد و بعدازآن کاهش فرکانس قطع روی میدهد افزایش ناخالصی بیش از حد نیز سبب افزایش جریان انگلی می شود جداازتفاوت های دوشیوه ی الایش یکنواخت و غیریکنواخت که درکارهای قبلی بررسی شده است مقایسه نتایج شبیه سازی ها نشان داد درشیوه الایش یکنواخت برای داشتن فرکانس قطع بیشتر باید جریان درین و درنتیجه توان کاهش یابد و این درحالیست که درالایش غیریکنواخت همزمان بیشترین جریان به همراه فرکانس بیشینه بدست می آید

کلیدواژه ها:

آلایش یکنواخت ، آلایش پالسی ، تراکم ناخالصی ، بازده مدولاسیون ، لایه سد AlGaAs و GaAs PHEMT

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/404414/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
حق پناه، محسن و عرفانیان، علیرضا و عفیفی، احمد و طباطبایی پور، سیدغیاث الدین،1394،طراحی پروفایل نا خالصی بهینه در ساختار ترانزیستور GaAs PHEMT،کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر،تهران،،،https://civilica.com/doc/404414

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1394، حق پناه، محسن؛ علیرضا عرفانیان و احمد عفیفی و سیدغیاث الدین طباطبایی پور)
برای بار دوم به بعد: (1394، حق پناه؛ عرفانیان و عفیفی و طباطبایی پور)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود ممقالهقاله لینک شده اند :

  • R. L. Ross , S. P. Svensson and P. Lugli، ...
  • T. J. Drummond, W. Kopp, R. Fischer, and H. Morkog ...
  • M. Kamence , N.V. Drozdovski "GaAs-, InP- and GaN HEMT-based ...
  • Schubert, E.F., and Ploog, K. (1984) Shallow and deep donors ...
  • Foisy, M.e., Tasker, PJ., Hughes, B., and Eastman, L.F. (1988) ...
  • Nguyen, L.D., Larson, L.E., and Mishra, U.K (1992) Ultra-high- speed ...
  • N. Mohd. Kharuddin, Student Member and B. Yeop Majlis "Electrical ...
  • P. R. _ la Houssaye "Electron Saturation Velocity Variation in ...
  • G. I. Ayzenshtat, V. G. Bozhkov, and A. Yu. Yushchenko، ...
  • Zhong Yinghui1, Wang Xiantai, Su Yongbo, Cao Yuxiong, Jin Zhi, ...
  • S. M. Sze and K. K. Ng Physics of S ...
  • Das, M.B. _ device physics and models, in F. Ali ...
  • Wolf, P. "Microwave properties of S chottky-barrier field effect transistors" ...
  • R. L. Ross , S. P. Svensson and P. Lugli ...
  • مدیریت اطلاعات پژوهشی

    صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز: دانشگاه دولتی
    تعداد مقالات: 7,871
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مقالات مرتبط جدید

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

    پشتیبانی