طراحی پروفایل نا خالصی بهینه در ساختار ترانزیستور GaAs PHEMT

دراین مقاله طراحی پروفایل ناخالصی درترانزیستورهای PHEMT مورد بررسی قرارگرفته است به این منظور دوترانزیستور یکی باالایش یکنواخت ودیگری باالایش غیریکنواخت لایه ی سد درنظر گرفته شده و اثرتغییر مقدارناخالصی درترکیب سه تایی AlxGa1-xAs بررسی شده است بررسی ها نشان میدهد که باافزایش مقدارناخالصی لایه ی سد جریان درین بیشینه و گستره ی غیرصفر هدایت انتقالی افزایش می یابد که این افزایش برای فرکانسهیا قطع fTو fMAX تامقدار ناخالصی خاصی اتفاق می افتد و بعدازآن کاهش فرکانس قطع روی میدهد افزایش ناخالصی بیش از حد نیز سبب افزایش جریان انگلی می شود جداازتفاوت های دوشیوه ی الایش یکنواخت و غیریکنواخت که درکارهای قبلی بررسی شده است مقایسه نتایج شبیه سازی ها نشان داد درشیوه الایش یکنواخت برای داشتن فرکانس قطع بیشتر باید جریان درین و درنتیجه توان کاهش یابد و این درحالیست که درالایش غیریکنواخت همزمان بیشترین جریان به همراه فرکانس بیشینه بدست می آید

کلیدواژه ها:

آلایش یکنواخت ، آلایش پالسی ، تراکم ناخالصی ، بازده مدولاسیون ، لایه سد AlGaAs و GaAs PHEMT