بررسی اثر هاله ناخالصی کانال و شیب غلظت آن در ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک ناحیه سورس و درین با هاله خطی

در این تحقیق ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک لبه پایین سورس و درین با یک هاله ناخالصی خطی در کانال پیشنهاد شده و اثر تغییر شیب آلایش هاله خطی بر شاخص های جریان روشنایی، نسبت جریان روشنایی به خاموشی به ازای جریان روشنایی، جریان نشتی، شاخص توان تاخیر و فرکانس قطع بررسی می شود. ترانزیستور پیشنهادی با استفاده از روش NEGF شبیه سازی شده است. نشان داده ایم که ناحیه هاله خطی نوع N در طرف سورس کانال ذاتی، سبب افزایش نسبت جریان روشنایی به خاموشی به ازای I(on)<5μA می شود. کاهش شیب ناحیه هاله خطی نیز، سبب افزایش جریان روشنایی و البته افزایش شاخص توان تاخیر می شود. همچنین با بررسی اثر تغییر غلظت ناحیه کم غلظت سورس و درین مشاهده می شود که در غلظت های کمتر، شاخص توان تاخیر و وابستگی آن به شیب هاله کاهش می یابد. با محاسبه فرکانس قطع ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک لبه پایین سورس و درین با هاله خطی نشان دادیم که ایجاد هاله خطی یک راه کار افزایش فرکانس قطع افزاره است. کاهش شیب ناحیه هاله خطی نیز سبب بهبود مشخصه فرکانس قطع به ازای ولتاژ گیت می شود

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی CNTFET ، آلایش سبک ناحیه سورس و درین LDDS ، فرکانس قطع ، هاله خطی LH ، تابع گرین غیرتعادلی NEGF