بررسی و مقایسه مشخصات الکترونیکی ترانزیستورهای نانو سیم بدون پیوند نوع P با مواد کانال Si ,InP,InGaP

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین غیر تعادلی، عملکرد ترانزیستورهای بدون پیوند با کانال مواد InP ،InGaP و Si مورد بررسی قرار گرفته است. گیت ترانزیستورها از نوع تمام اطراف گیت GAA انتخاب شده است. پارامترهایی چون دیبل، شیب زیر آستانه، جریان حالت خاموش، جریان حالت روشن و نسبت جریان حالت روشن به خاموش در این ادوات مورد بررسی قرار گرفته است. مشکل اصلی ترانزیستورهای بدون پیوند، جریان حالت خاموش و شیب زیر آستانه میباشد. با انتخاب مواد با شکاف باند بزرگ و چگالی حالت بالا در باند ظرفیت میتوان جریان حالت خاموش را کاهش داد، بدون اینکه جریان حالت روشن کاهش محسوسی پیدا کند. از این رو ترانزیستور بدون پیوند با کانال InGaP دارای مشخصات الکترونیکی بهتری از نظر جریان حالت خاموش و شیب زیر آستانه است. برای این ترانزیستور مقادیر دیبل، شیب زیر آستانه، جریان حالت خاموش، جریان حالت روشن و نسبت جریان روشن به خاموش در طول گیت 10 نانومتر به ترتیب برابر است با V/V 14m (فرمول در متن اصلی مقاله)

کلیدواژه ها:

ترانزیستورهای بدون پیوند ، دیبل ، شیب زیر آستانه ، جریان خاموشی ، نسبت جریان روشنی به خاموشی