بررسی وابستگی موبیلیتی به دما و میدان الکتریکی در ترانزیستورهای لایه نازک آلی به کمک شبیه سازی دو بعدی

در سالهای اخیر ترانزیستورهای اثر میدانی به خاطر کاربردهای فراوان شان در الکترونیک آلی مورد توجه بسیاری از محققان قرار گرفته است به منظور درک بهتر و بهینه سازی بازده کارکرد این ادوات شبیه سازی های دقیق و کارآمدی مورد نیاز است در این مقاله ترانزیستورهای اثر میدانی آلی با نیمه هادی آلی پنتاسن شبیه سازی می شود و نتایج شبیه سازی با مقادیر تجربی مقایسه و تحلیل م ی گردد. وابستگی موبیلیتی و ولتاژ آستانه به دما بررسی می شود همچنین اثر میدان الکتریکی بر موبیلیتی ترانزیستورهای آلی به کمک شبیه سازی مورد تحقیق قرار می گیرد.

کلیدواژه ها:

پنتاسن ، ترانزیستور آلی ، شبیه سازی ، موبیلیتی