بهینه سازی ترانزیستورهای آلی با بکارگیری مواد پیشرفته هیبریدی

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 982

فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NIAM01_017

تاریخ نمایه سازی: 25 مرداد 1392

چکیده مقاله:

مواد پیشرفته هیبریدی شامل ترکیبی از مواد آلی و غیرآلی، گزینه های جدیدی برای دستیابی به مواد نو با ویژگی های منحصر به فرد می باشند. روش سل- ژل یک روش راحت و مناسب برای اتصال بین فازهای آلی و غیرآلی است. در کار حاضر به منظور بررسی تاثیر مواد هیبریدی بر کارآیی ترانزیستورها، دی الکتریک های محلول پذیر هیبریدی پلی استایرن- لانتانیم اکسید (Ps/La2O3)با مقادیر مختلف از یلیمر آماده شدند. مورفولوژی سطح فیلم ها با میکروسکوپ روبشی الکترونی (SEM)، میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM)، X-Map و تکنیک NanoSurf مطالعه شدند. نتایج بدست آمده امکان استفاده از نانوکامپوزیت هیبریدی Ps/La2O3 با ثابت دی الکتریک بالا به عنوان عایق گیت دی الکتریک در ترانزیستورهای اثرمیدانی آلی را بیان می کنند.

نویسندگان

مریم درخشی

دانشجوی کارشناسی ارشد فیزیک، دانشگاه مازندران، دانشکده علوم پایه، گروه فیزیک

ماندانا رودباری شهمیری

دکتری فیزیک، دانشگاه مازندران، دانشکده علوم پایه، گروه فیزیک

علی بهاری

دانشیار، فیزیک نانوتکنولوژی، دانشگاه مازندران، دانشکده علوم پایه، گروه فیزیک

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • A. Jedaa and M. Halik;، 0Toward strain resistat flexible organic ...
  • N. Gang, Y. Wu, B. Lili, G. Hao, Z. Wenhao ...
  • A. Bahari and . Gholipur; Electrical and Optical properties of ...
  • G.D. Wilk, R.M. Wallace, J.M. Anthony;: High k gate dielectric ...
  • A. Bahari, U. Robenhagen, P. Morgen, Z.S. Li; "Growth of ...
  • M.D. Morales, M.A. Lopez, B.E. Gnade and R.R. Bon;، :PMMA- ...
  • نمایش کامل مراجع