An Ultra High Gain CMOS Low Noise Amplifier With Current-Reused Technique
محل انتشار: سیزهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 2,103
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE13_021
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1389
چکیده مقاله:
This paper describes a CMOS LNA utilizing a current reuse technique for Bluetooth front-end receiver in a TSMC 0.18-μm process. The current reuse technique, the noise and gain performance is improved also, providing dual functions of impedance match and DC current sharing. A bias resistor of large value is placed between source and the body node to prevent body effect and reduce noise. The power gain and the minimal Noise Figure (NF) are two important factors for the circuits. Besides those factors, good linearity, and the lower power consumption are also desired. The LNA achieves a small signal gain of 22 dB. The LNA acquires an NF of 2.8 dB with an input return loss of - 28.6 dB and an output return loss of -17.5 dB. The LNA consumes 9.4 mW from a 1.8-V supply.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Ehsan Kargaran
Sadjad Institute for Higher Education-Mashhsd
Vahid Arezoomand
Tabriz university
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :