مقایسه پارامترهای عملکردی مدار جمع کننده تک بیتی در ساختارهای چندگیتی تکنولوژی FinFET

امروزه فناوری FinFET به دلیل مقیاس پذیری بیشتر، کارایی بهتر، سرعت بالاتر و قابلیت بالای کنترل گیت های آن در مقیاس نانو در صنعت میکرو الکترونیک جایگاه ویژه ای به خود اختصاص داده است. در این مقاله، بهبررسی و مقایسه مدار تمام جمع کننده که از مهمترین عناصر محاسباتی در پردازنده ها می باشد، در ساختارهای مختلف چندگیتی فناوری FinFET می پردازیم و پارامترهای عملکردی را برای یافتن بهترین مدار جمع کننده درساختار پایه Static CMOS از نظر ساختارهای مختلف گیت، بررسی و بهترین را پیشنهاد می کنیم. شبیه سازی مدارها با نرم افزار HSPICE و در تکنولوژی های CMOS و FinFET در فناوری ۱۶ نانومتری با استفاده از کتابخانه طراحی مدل فناوری پیش بینی (PTM) برای انواع ساختارهای گیت انجام شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که سرعت مدار در تکنولوژی چندگیتی همواره بیشتر از تکنولوژی CMOS است، که به عنوان یک مزیت عمده در ریزپردازنده های محاسباتی عملیاتی محسوب می شود. همچنین از بین ساختارهای چندگیتی، مدل گیت مکعبی بهترین وضعیت را از نظر مصرف داراست.

کلیدواژه ها:

تمام جمع کننده ، CMOS ، FinFET ، چندگیتی ، PDP