مبدل ولتاژ افزاینده DC به وسیله ی مدارهای پمپ بار CMOS با مساحت بهینه شده برای کاربردهای برداشت انرژی

در این مقاله یک مدار پمپ بار جدید با ولتاژ ورودی پایین، زمان شروع پایین و افزایش ولتاژ هفت برابری نسبت به ولتاژ ورودی در تکنولوژی 180 نانومتر CMOS برای سیستم های برداشت انرژی طراحی شده است. هدف اصلی این طرح، کاهش مساحت، کاهش ولتاژ آستانه و افزایش ولتاژ خروجی مدار است. مزایای این طرح استفاده از تعداد ترانزیستور کمتر، خازن کوچکتر، تکنولوژی ارزان 180 نانومتر و در نهایت کاهش مساحت مصرفی می باشد. در مدار پمپ بار شش طبقه تکنیک های مختلفی از جمله بایاس بدنه، کنترل با ولتاژ طبقات بعدی و کنترل با ولتاژ طبقات قبلی بکار رفته است. نتایج شبیه سازی با خازن پمپ بار 18pf در هر طبقه و فرکانس کلاک 200KHZ نشان می دهد که ولتاژ ورودی 350mv در کمتر از 0.3ms به 2v می رسد. لی اوت ناحیه فعال دارای مساحتی کمتر از 0.28mm2 است.

کلیدواژه ها:

افزایش ولتاژ ، برداشت انرژی ، پمپ بار دو شاخه ای ، پمپ بار دیکسون ، مبدل ولتاژ افزاینده ، مدار پمپ بار