مبدل ولتاژ افزاینده DC به وسیله ی مدارهای پمپ بار CMOS با مساحت بهینه شده برای کاربردهای برداشت انرژی

سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 527

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ETECH04_037

تاریخ نمایه سازی: 27 بهمن 1398

چکیده مقاله:

در این مقاله یک مدار پمپ بار جدید با ولتاژ ورودی پایین، زمان شروع پایین و افزایش ولتاژ هفت برابری نسبت به ولتاژ ورودی در تکنولوژی 180 نانومتر CMOS برای سیستم های برداشت انرژی طراحی شده است. هدف اصلی این طرح، کاهش مساحت، کاهش ولتاژ آستانه و افزایش ولتاژ خروجی مدار است. مزایای این طرح استفاده از تعداد ترانزیستور کمتر، خازن کوچکتر، تکنولوژی ارزان 180 نانومتر و در نهایت کاهش مساحت مصرفی می باشد. در مدار پمپ بار شش طبقه تکنیک های مختلفی از جمله بایاس بدنه، کنترل با ولتاژ طبقات بعدی و کنترل با ولتاژ طبقات قبلی بکار رفته است. نتایج شبیه سازی با خازن پمپ بار 18pf در هر طبقه و فرکانس کلاک 200KHZ نشان می دهد که ولتاژ ورودی 350mv در کمتر از 0.3ms به 2v می رسد. لی اوت ناحیه فعال دارای مساحتی کمتر از 0.28mm2 است.

نویسندگان

زهرا کرمی دهکردی

دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه شهرکرد شهرکرد، ایران

سید وحید میرمقتدایی

دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه شهرکرد شهرکرد، ایران